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1. (WO1996010171) SYSTEME DE CARACTERISATION DES MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS ET DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1996/010171    N° de la demande internationale :    PCT/US1995/012453
Date de publication : 04.04.1996 Date de dépôt international : 28.09.1995
CIB :
G01N 21/47 (2006.01), G01N 21/95 (2006.01)
Déposants : MIDWEST RESEARCH INSTITUTE [US/US]; 425 Volker Boulevard, Kansas City, MO 64110 (US)
Inventeurs : SOPORI, Bhushan, L.; (US)
Mandataire : O'CONNOR, Edna, M.; National Renewable Energy Laboratory, 1617 Cole Boulevard, Golden, CO 80401 (US)
Données relatives à la priorité :
08/314,201 28.09.1994 US
Titre (EN) SYSTEM FOR CHARACTERIZING SEMICONDUCTOR MATERIALS AND PHOTOVOLTAIC DEVICES
(FR) SYSTEME DE CARACTERISATION DES MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS ET DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES
Abrégé : front page image
(EN)Apparatus for detecting and mapping defects in the surfaces of polycrystalline material (14') in a manner that distinguishes dislocation pits from grain boundaries includes a first laser (16') of a first wavelength for illuminating a wide spot on the surface (20') of the material (14'), a second laser (302) of a second relatively shorter wavelength for illuminating a relatively narrower spot on the surface (20) of the material (14'), a light integrating sphere (22') for capturing light scattered by etched dislocation pits in an intermediate range away from specular reflection while allowing light scattered by etched grain boundaries in a near range from specular reflection to pass through, and optical detection devices (40', 50', 316) for detecting and measuring intensities of the respective intermediate and near specular scattered light. In the case where the piece of material (14') includes a photovoltaic device, the current included in the device by the illuminating light can be measured with a current sensing amplifier (332).
(FR)Dispositif permettant de détecter et de réaliser la topographie des défauts des surfaces d'un matériau polycristallin (14') en distinguant les creux de dislocation des joints de grains. Le dispositif comprend un premier laser (16') émettant une première longueur d'onde afin d'éclairer un point large sur une surface (20') du matériau (14'), un deuxième laser (302) d'une longueur d'onde sensiblement plus courte, assurant l'éclairage d'un point relativement plus étroit de la surface (20) du matériau (14'), une sphère d'intégration de lumière (22') captant la lumière diffusée par les creux de dislocation de gravure dans une plage intermédiaire lointaine de la réflexion spéculaire tout en permettant le passage de la lumière diffusée par les joints de grains de gravure dans une plage proche de la réflexion spéculaire, et des dispositifs optiques de détection (40', 50', 316) assurant la détection et la mesure des intensités de la lumière diffusée dans les plages intermédiaires et proches de réflexion spéculaire. Lorsque l'élément de matériau (14') comporte un dispositif photovoltaïque, le courant induit dans le dispositif par la lumière d'éclairage peut être mesuré à l'aide d'un amplificateur de détection de courant (332).
États désignés : AU, BR, CA, CN, DE, ES, GB, JP, KP, KR, NO, NZ, PL, SE, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)