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1. (WO1996001992) ANALYSE DE GAZ COMPLEXE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1996/001992    N° de la demande internationale :    PCT/DE1995/000610
Date de publication : 25.01.1996 Date de dépôt international : 05.05.1995
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.12.1995    
CIB :
G01N 33/00 (2006.01)
Déposants : FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodstrasse 54, D-80636 München (DE) (Tous Sauf US).
STEINER, Klaus [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HOEFER, Ulrich [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : STEINER, Klaus; (DE).
HOEFER, Ulrich; (DE)
Mandataire : PFENNING, MEINIG, BUTENSCHÖN, BERGMANN, NÖTH, REITZLE, KRAUS; Mozartstrasse 17, D-80336 München (DE)
Données relatives à la priorité :
P 44 24 342.1 11.07.1994 DE
Titre (DE) KOMPLEXE GASANALYSE
(EN) COMPLEX GAS ANALYSIS
(FR) ANALYSE DE GAZ COMPLEXE
Abrégé : front page image
(DE)Sensorarray mit Metalloxid-Halbleitergassensoren, die als Widerstandselemente betrieben werden, wobei jeder Sensor aus einer auf einem Substrat aufgebrachten Kontaktelektrode (Kontaktpad) und einer darauf abgeschiedenen sensoraktiven Schicht besteht, wobei zumindest bei einem Teil der Sensoren im Verhältnis zu den weiteren Sensoren ein unterschiedlicher Kontaktabstand L der Kontaktpads zueinander vorhanden ist und/oder eine unterschiedliche Dimensionierung der Fläche der sensoraktiven Schicht und/oder eine unterschiedliche Berührungsgrenzfläche A zwischen dem Kontakt und der sensoraktiven Schicht vorliegt.
(EN)A sensor array with metal oxide semiconductor gas sensors operated as resistor components, in which each sensor consists of a contact electrode (contact pad) applied to a substrate and a sensor-active layer deposited thereon, in which at least part of the sensors have a different contact spacing L of the contact pads in relation to the other sensors and/or a different dimensions of the area of the sensor-active layer and/or a different contact border area A between the contact and the sensor-active layer.
(FR)L'invention concerne une mosaïque de détecteurs comportant des détecteurs de gaz à semi-conducteurs à oxyde métallique, fonctionnant comme des résistances. Chaque détecteur comprend une électrode de contact (plot de contact) montée sur un substrat, sur laquelle est appliqué, par dépôt chimique, une couche à effet détecteur. Au moins une partie des détecteurs présentent un intervalle de contact L différent des plots de contact par rapport aux autres détecteurs, et/ou la surface de la couche à effet détecteur présente un dimensionnement différent, et/ou il existe une zone limitrophe de contact A différente entre le contact et la couche à effet détecteur.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)