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1. (WO1996001482) RESISTANCE PIEZORESISTIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1996/001482    N° de la demande internationale :    PCT/DE1995/000770
Date de publication : 18.01.1996 Date de dépôt international : 16.06.1995
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.12.1995    
CIB :
H01C 10/10 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, D-70442 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
GRUENWALD, Werner [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHMID, Kurt [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HAUG, Ralf [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : GRUENWALD, Werner; (DE).
SCHMID, Kurt; (DE).
HAUG, Ralf; (DE)
Données relatives à la priorité :
P 44 23 596.8 06.07.1994 DE
Titre (DE) PIEZORESISTIVER WIDERSTAND
(EN) PIEZORESISTIVE RESISTOR
(FR) RESISTANCE PIEZORESISTIVE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen piezoresistiven Widerstand mit in einem nicht, beziehungsweise schlecht leitenden Träger dispergierten, elektrisch leitenden Widerstandspigmenten, zwischen denen eine elektrische Leitfähigkeit besteht. Es ist vorgesehen, daß die elektrische Leitfähigkeit zwischen den Widerstandspigmenten (12) im wesentlichen über eine große Anzahl von Tunnelübergängen (Tunnel-Leitfähigkeit) erfolgt.
(EN)The invention concerns a piezoresistive resistor comprising electrically conducting pigments dispersed in a non-conducting or poorly conducting medium and between which electrical conductivity exists. The invention calls for the electrical conductivity between the pigments (12) to be essentially due to a large number of tunnel transitions (tunnel-effect conductivity).
(FR)L'invention concerne une résistance piézorésistive comprenant des pigments électro-conducteurs dispersé dans un porteur non conducteur ou faiblement conducteur, et entre lesquels il existe une conductivité électrique. Il est prévu que la conductivité électrique entre les pigments (12) de la résistance soit assurée sensiblement par un nombre important de jonctions à effet tunnel (conductivité tunnel).
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)