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1. (WO1996000982) CONDENSATEURS LINEAIRES POUR APPLICATIONS A HAUTE TEMPERATURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1996/000982    N° de la demande internationale :    PCT/US1995/008021
Date de publication : 11.01.1996 Date de dépôt international : 26.06.1995
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.01.1996    
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01)
Déposants : HONEYWELL INC. [US/US]; Honeywell Plaza, Minneapolis, MN 55408 (US)
Inventeurs : GARDNER, Gary, R.; (US).
LIU, Michael, S.; (US)
Mandataire : BRUNS, Gregory, A.; Honeywell Inc., Honeywell Plaza - MN12-8251, Minneapolis, MN 55408 (US)
Données relatives à la priorité :
08/269,265 30.06.1994 US
Titre (EN) LINEAR CAPACITORS FOR HIGH TEMPERATURE APPLICATIONS
(FR) CONDENSATEURS LINEAIRES POUR APPLICATIONS A HAUTE TEMPERATURE
Abrégé : front page image
(EN)A method for making a voltage linear capacitor for use with a metal oxide semiconductor field effect transistor wherein a capacitor portion of an SOI substrate is heavily doped with phosphorus. The thin oxide layer used for the transistor gate oxide also serves as the capacitor dielectric, and the thickness of the dielectric relative to the gate oxide is controlled.
(FR)Procédé permettant de fabriquer un condensateur linéaire à application de tension à utiliser avec un transistor à effet de champ MOS, selon lequel une partie condensateur d'un substrat silicium sur isolateur est fortement dopée avec du phosphore. La couche mince d'oxyde utilisée pour l'oxyde de grille de transistor sert de diélectrique de condensateur et l'épaisseur du diélectrique par rapport à l'oxyde de grille est régulée.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)