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1. (WO1996000758) MATIERE POUR LA FORMATION D'UNE COUCHE MINCE ISOLANTE REVETUE A BASE DE SILICE, SON PROCEDE DE FABRICATION, COUCHE ISOLANTE A BASE DE SILICE, DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCEDE DE FABRICATION DE CE DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1996/000758    N° de la demande internationale :    PCT/JP1995/001305
Date de publication : 11.01.1996 Date de dépôt international : 30.06.1995
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.12.1995    
CIB :
C09D 183/14 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 1-1, Nishishinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 163-04 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUZAWA, Jun [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MATSUZAWA, Jun; (JP)
Mandataire : TOMITA, Kazuko; Yokohama HS-Building 7F, 9-10, Kitasaiwai 2-chome, Nishi-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 220 (JP)
Données relatives à la priorité :
6/148402 30.06.1994 JP
7/38179 27.02.1995 JP
Titre (EN) MATERIAL FOR FORMING SILICA-BASE COATED INSULATION FILM, PROCESS FOR PRODUCING THE MATERIAL, SILICA-BASE INSULATION FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROCESS FOR PRODUCING THE DEVICE
(FR) MATIERE POUR LA FORMATION D'UNE COUCHE MINCE ISOLANTE REVETUE A BASE DE SILICE, SON PROCEDE DE FABRICATION, COUCHE ISOLANTE A BASE DE SILICE, DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCEDE DE FABRICATION DE CE DISPOSITIF
Abrégé : front page image
(EN)A material for forming a silica-base coated insulation film, which is used for forming an interlayer insulation film of a multilayer interconnection of a VLSI, and is prepared from (a) an alkoxysilane and/or a partial hydrolyzate thereof, (b) a fluoroalkoxysilane and/or (e) an alkylalkoxysilane, (c) an alkoxide of a metal other than Si and/or a derivative thereof, and (d) an organic solvent. This material has a shell stability and can form a thick film. The silica-base insulation film obtained therefrom is transparent and uniform, freed from defects such as crack or pinhole, and excellent in oxygen plasma resistance.
(FR)Matière pour la formation d'une couche mince isolante revêtue à base de silice, utilisée pour former une couche isolante intermédiaire dans une interconnexion multicouche de VLSI, et préparée à partir (a) d'un alcoxysilane et/ou de son hydrolysat partiel, (b) d'un fluoroalcoxysilane et/ou (e) d'un alkylalcoxysilane, (c) d'un alcoxyde d'un métal autre que Si et/ou de son dérivé, et (d) d'un solvant organique. Cette matière est stable au stockage et peut former une couche épaisse. La couche isolante à base de silice ainsi obtenue est transparente et homogène, elle est exempte de fissures et de piqûres, et elle présente une excellente résistance au plasma d'oxygène.
États désignés : AU, BR, CN, CZ, FI, JP, KR, MX, PL, RU, UA, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)