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1. (WO1996000317) PROCEDE ET DISPOSITIF AMELIORES DE CROISSANCE DE CRISTAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1996/000317    N° de la demande internationale :    PCT/GB1995/001305
Date de publication : 04.01.1996 Date de dépôt international : 06.06.1995
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.01.1996    
CIB :
C30B 15/12 (2006.01)
Déposants : THE SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE [GB/GB]; Defence Evaluation & Research Agency, DRA Farnborough, Hampshire GU14 6TD (GB) (Tous Sauf US).
BESWICK, John, Alfred [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : BESWICK, John, Alfred; (GB)
Mandataire : BECKHAM, Robert, William; Defence Evaluation & Research Agency, Intellectual Property Dept., R69 Building, DRA Farnborough, Hampshire GU14 6TD (GB)
Données relatives à la priorité :
9412629.9 23.06.1994 GB
Titre (EN) IMPROVEMENTS IN CRYSTAL GROWTH
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF AMELIORES DE CROISSANCE DE CRISTAUX
Abrégé : front page image
(EN)Improvements in the growth of homogeneous crystals from a multicomponent melt comprising a double crucible assembly with an injector which affords improved flow of melt from the outer to the inner crucible; guide rods which are external to the outer crucible and which afford locating of the inner crucible with reduced probability of sticking; means for withdrawing the inner crucible after crystal growth is complete and a method of removing trapped gas from the apparatus prior to crystal growth.
(FR)Procédé et dispositif améliorés de croissance de cristaux homogènes à partir d'un mélange en fusion à constituants multiples, qui mettent en application un ensemble constitué par un double creuset pourvu d'un injecteur permettant d'améliorer l'écoulement du mélange en fusion depuis le creuset extérieur vers le creuset intérieur; des tiges de guidage situées à l'extérieur du creuset extérieur et permettant de positionner le creuset intérieur en limitant les risques d'adhérence; des moyens de retrait du creuset intérieur une fois que la croissance cristalline est terminée. On décrit également un procédé de suppression des gaz piégés du dispositif préalablement à la croissance des cristaux.
États désignés : CN, GB, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)