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1. (WO1995034913) TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A GRILLE AMORCEE ET CIRCUITS COMPRENANT CES TRANSISTORS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1995/034913 N° de la demande internationale : PCT/US1995/007452
Date de publication : 21.12.1995 Date de dépôt international : 12.06.1995
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 11.01.1996
CIB :
H01L 29/10 (2006.01) ,H01L 29/43 (2006.01) ,H01L 29/808 (2006.01) ,H01L 29/812 (2006.01) ,H03H 11/24 (2006.01) ,H03K 17/687 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
10
avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
43
caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
80
l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse
808
à jonction PN
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
80
l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse
812
à grille Schottky
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
11
Réseaux utilisant des éléments actifs
02
Réseaux à plusieurs accès
24
Atténuateurs indépendants de la fréquence
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51
caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56
par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
687
les dispositifs étant des transistors à effet de champ
Déposants :
ANADIGICS, INC. [US/US]; Box 4915 35 Technology Drive Warren, NJ 07059, US
Inventeurs :
BAYRUNS, Robert, J.; US
Mandataire :
REIN, Barry, D. ; Pennie & Edmonds 1155 Avenue of the Americas New York, NY 10036, US
Données relatives à la priorité :
260,65716.06.1994US
Titre (EN) BOOTSTRAPPED-GATE FIELD EFFECT TRANSISTORS AND CIRCUITS THEREOF
(FR) TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A GRILLE AMORCEE ET CIRCUITS COMPRENANT CES TRANSISTORS
Abrégé :
(EN) A new type of field effect transistors, bootstrapped gate field effect transistors ('BGFETs') for providing variable resistance is disclosed. A BGFET includes source (420), drain (425), gate (430), and channel regions (405). The gate region consists of resistive material and it provides with respect to the channel region distributed resistance and capacitance which imposes distributed feedback to the gate region of AC signal applied to the source or drain regions. BGFETs can be further externally bootstrapped to reduce the lower frequency limit at which it can properly operate.
(FR) Cette invention se rapporte à un nouveau type de transistors à effet de champ, à savoir des transistors à effet de champ à grille amorcée ('BGFET') servant à assurer une résistance variable. Un tel transistor BGFET comprend une région source (420), une région drain (425), une région grille (430) et une région canal (405). La région grille est constituée par un matériau résistif et elle fournit, par rapport à la région canal, une résistance et une capacitance réparties, qui imposent une rétroaction répartie à la région grille du signal C.A. appliqué aux régions source ou drain. Ces transistors BGFET peuvent en outre être amorcés de l'extérieur, pour réduire la limite de fréquence inférieure à laquelle ils peuvent fonctionner correctement.
États désignés : JP, KR
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)