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1. (WO1995034901) UTILISATION D'IONS A CHARGE MULTIPLE POUR PRODUIRE DES RAYONS X MOUS UTILISES EN LITHOGRAPHIE SOUS-MICRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1995/034901 N° de la demande internationale : PCT/US1994/006841
Date de publication : 21.12.1995 Date de dépôt international : 16.06.1994
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 28.11.1995
CIB :
G03F 7/20 (2006.01) ,G21K 1/06 (2006.01) ,H01J 49/38 (2006.01) ,H05G 2/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
G PHYSIQUE
21
PHYSIQUE NUCLÉAIRE; TECHNIQUE NUCLÉAIRE
K
TECHNIQUES NON PRÉVUES AILLEURS POUR MANIPULER DES PARTICULES OU DES RAYONNEMENTS IONISANTS; DISPOSITIFS D'IRRADIATION; MICROSCOPES À RAYONS GAMMA OU À RAYONS X
1
Dispositions pour manipuler des particules ou des rayonnements ionisants, p.ex. pour focaliser ou pour modérer
06
utilisant la diffraction, la réfraction ou la réflexion, p.ex. monochromateurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
49
Spectromètres pour particules ou tubes séparateurs de particules
26
Spectromètres de masse ou tubes séparateurs de masse
34
Spectromètres dynamiques
36
Spectromètres à radio-fréquence, p.ex. spectromètres du type Bennett; Spectromètres du type Redhead
38
Omégatrons
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
G
TECHNIQUE DES RAYONS X
2
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la production de rayons X, n'utilisant pas de tubes à rayons X, p.ex. utilisant la génération d'un plasma
Déposants :
RUXAM, INC. [US/US]; c/o Orrick Herrington & Sutcliffe 666 Fifth Avenue New York, NY 10103, US
Inventeurs :
GOLOVANIVSKY, Konstantin, S.; FR
OMELJANOVSKY, Erazm, M.; US
Mandataire :
ISACKSON, Robert, M.; Orrick Herrington & Sutcliffe 666 Fifth Avenue New York, NY 10103, US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SOFT X-RAY SUBMICRON LITHOGRAPHY USING MULTIPLY CHARGED IONS
(FR) UTILISATION D'IONS A CHARGE MULTIPLE POUR PRODUIRE DES RAYONS X MOUS UTILISES EN LITHOGRAPHIE SOUS-MICRONIQUE
Abrégé :
(EN) Apparatus and methods for submicron lithography of semiconductor materials, circuits and other objects. A source (10) of multiply charged ions (2) is applied to a thin layer of electrically conductive material (54). The recombination of ions and free electrons in the layer produced soft x-ray radiation which is used to irradiate an object (50). The object may include a semiconductor substrate, an x-ray sensitive resist, and an x-ray absorbing mask for forming semiconductor devices. The soft x-rays are produced by careful selection of the type and energy of multiply charged ions and the thickness of the thin electrically conductive layer, which may be a light element metal.
(FR) L'invention concerne un appareil de lithographie sous-micronique utilisable sur des semi-conducteurs, des circuits et similaire, ainsi qu'un procédé d'utilisation de cet appareil. Une source d'ions à charge multiple est dirigée contre une couche mince d'un matériau conducteur d'électricité. La recombinaison des ions et des électrons libres de la couche produit des rayons X mous qui sont dirigés sur l'objet sur lequel on souhaite former des circuits intégrés, lequel objet peut comprendre un substrat semi-conducteur, un vernis sensible aux rayons X, et un masque absorbant les rayons X. On produit les rayons X mous en sélectionnant avec soin le type et l'énergie des ions à charge multiple, ainsi que l'épaisseur de la couche mince conductrice d'électricité, qui peut être constituée d'un métal léger.
États désignés : CA, JP
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)