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1. (WO1995034091) PRODUIT SEMI-FINI POUR COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR ELECTRONIQUE OU OPTOELECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1995/034091 N° de la demande internationale : PCT/EP1995/002095
Date de publication : 14.12.1995 Date de dépôt international : 02.06.1995
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 14.12.1995
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
Déposants :
HERAEUS QUARZGLAS GMBH [DE/DE]; Quarzstrasse D-63450 Hanau, DE (AllExceptUS)
ENGLISCH, Wolfgang [DE/DE]; DE (UsOnly)
UEBBING, Reinhold [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs :
ENGLISCH, Wolfgang; DE
UEBBING, Reinhold; DE
Mandataire :
GRIMM, Ekkehard; Kurt-Blaum-Platz 1 D-63450 Hanau, DE
Données relatives à la priorité :
P 44 20 024.209.06.1994DE
Titre (DE) HALBZEUG FÜR EIN ELEKTRONISCHES ODER OPTO-ELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) SEMIFINISHED PRODUCT FOR ELECTRONIC OR OPTO-ELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PRODUIT SEMI-FINI POUR COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR ELECTRONIQUE OU OPTOELECTRONIQUE
Abrégé :
(DE) Es ist ein Halbzeug in Form eines Verbundkörpers für ein elektronisches oder opto-elektronisches Halbleiterbauelement bekannt, wobei der Verbundkörper aus einem scheibenförmigen, transparenten Quarzglas-Substrat und einer Scheibe aus einem halbleitenden Material besteht und wobei direkt und großflächig miteinander verbundene Oberflächen des Quarzglas-Substrats und der Scheibe vor dem Verbinden miteinander poliert sind. Um ein Halbzeug zu schaffen, das auch Temperaturen von oberhalb 900 °C, wie sie beispielsweise bei der Herstellung von Halbleiterschaltungen in wirtschaftlich realistischer Zeit zur Anwendung gelangen, standhält, ohne daß befürchtet werden muß, daß eine wesentliche Minderung der Haftkräfte eintritt oder gar ein Abplatzen der Scheiben voneinander oder ein unerwünschtes Verbiegen des Verbundkörpers erfolgt, ist das Quarzglas des Substrats aus synthetischem Quarzglas, das eine Viskosität von wenigstens 1014,0 Poise bei 950 °C aufweist, die bei einer Temperatur von 1050 °C einen Wert von 1012 Poise nicht unterschreitet, dessen Gehalt an Alkali-Elementen insgesamt höchstens 1 ppm und dessen Gehalt an metallischen Verunreinigungen aus den Elementen Eisen, Nickel, Kupfer, Chrom und/oder der Übergangsmetalle insgesamt höchstens 1 ppm beträgt, und wenigstens eine der polierten Oberflächen weist eine Rauhtiefe Rq von maximal 2 nm auf.
(EN) Semifinished products designed as composite bodies for electronic or opto-electronic semiconductor components are known. The composite bodies are made of a disk-shaped, transparent quartz glass substrate and of a slice made of a semiconductor material. The directly bonded surfaces of the quartz glass substrate and slice are polished before being mutually bonded. In order to create a semifinished product that resists temperatures above 900 °C, such as those used to produce semiconductor circuits in industrially feasible times, without raising fears of a substantial reduction of the adhesive forces, chipping of the slices away from each other or an undesirable deformation of the composite body, the substrate quartz glass is a synthetic quartz glass with at least 1014.0 poise viscosity at 950 °C which does not fall below 1012 poise at 1050 °C. The synthetic quartz glass contains maximum 1 ppm alkali elements and maximum 1 ppm metallic impurities of the elements iron, nickel, copper, chromium and/or transition metals. At least one of the polished surfaces has a roughness depth Rq not higher than 2 nm.
(FR) On connaît des produits semi-finis sous forme de corps composites servant à la production de composants semi-conducteurs électroniques ou optoélectroniques. Les corps composites sont constitués d'un substrat en quartz transparent en forme de disque et d'une tranche en matériau semi-conducteur. Avant d'être directement reliées l'une à l'autre, les surfaces du substrat en quartz et de la tranche sont polies. Afin de créer des produits semi-finis qui résistent à des températures même supérieures à 900 °C, telles celles qui règnent lors de la production de circuits semi-conducteurs en un temps correspondant à la réalité industrielle, sans que l'on ait à craindre une réduction sensible des forces d'adhérence, l'éclatement des tranches ou des déformations indésirables du corps composite, le quartz dont est constitué le substrat est un quartz synthétique ayant une viscosité d'au moins 1014,0 poises à 950 °C et qui ne dépasse pas 1012 poises à 1050 °C. Ce quartz synthétique contient au maximum 1 ppm d'éléments alcalins et au maximum 1 ppm d'impuretés métalliques constituées des éléments fer, nickel, cuivre, chrome et/ou des métaux de transition. Au moins une des surfaces polies présente des rugosités d'au maximum 2 nm de profondeur Rq.
États désignés : JP, KR, US
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Allemand (DE)
Langue de dépôt : Allemand (DE)
Également publié sous:
EP0764344US5831309JPH10501101KR1019970703611