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1. WO1995023431 - ANTIFUSIBLE A DOUBLE CONTACT PAR TRAVERSEE

Numéro de publication WO/1995/023431
Date de publication 31.08.1995
N° de la demande internationale PCT/US1995/002289
Date du dépôt international 23.02.1995
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 21.09.1995
CIB
H01L 23/525 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
525avec des interconnexions modifiables
CPC
H01L 23/5252
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
525with adaptable interconnections
5252comprising anti-fuses, i.e. connections having their state changed from non-conductive to conductive
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • CROSSPOINT SOLUTIONS, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • IRANMANESH, Ali
Mandataires
  • AKA, Gary, T.
Données relatives à la priorité
08/200,26223.02.1994US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ANTIFUSE WITH DOUBLE VIA CONTACT
(FR) ANTIFUSIBLE A DOUBLE CONTACT PAR TRAVERSEE
Abrégé
(EN) The present invention provides for a method of forming an antifuse in an integrated circuit having a first insulating layer on a semiconductor substrate. The method comprises forming a first metal interconnection layer (21, 22) on the first insulating layer (20); forming a programming layer (25) on the first metal interconnection line; forming a relatively thin, second insulating layer (23) over the programming layer; forming a first aperture through the second insulating layer where the antifuse is to be located to expose a portion of the programming layer; forming a barrier metal layer (26) on the second insulating layer and in said first aperture to contact the portion of said programming layer; forming a relatively thick, third insulating layer (27) on the barrier metal layer; forming a second aperture to expose a portion of the barrier metal layer; and forming a second metal interconnection layer (29, 30) on the third insulating layer and in the second to contact the portion of the second barrier metal layer.
(FR) L'invention concerne un procédé qui permet de former dans un circuit intégré un antifusible doté d'une première couche isolante placée sur un substrat semiconducteur. Ce procédé consiste à former une première couche (21, 22) métallique d'interconnexion sur la première (20) couche isolante, une couche (25) de programmation sur la première ligne métallique d'interconnexion, une deuxième (23) couche isolante relativement mince sur la couche de programmation, une première ouverture au travers de la deuxième couche isolante, où l'antifusible doit trouver place, pour exposer une partie de la couche de programmation, une couche (26) de barrière métallique sur la deuxième couche isolante et dans cette première ouverture pour créer un contact avec cette partie de couche de programmation, une troisième couche (27) isolante relativement épaisse sur la couche de barrière métallique, une deuxième ouverture pour exposer une partie de cette couche de barrière métallique, et enfin une deuxième couche (29, 30) métallique d'interconnexion sur la troisième couche isolante et dans la deuxième ouverture, pour créer un contact avec cette partie de deuxième couche de barrière métallique.
Documents de brevet associés
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