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1. (WO1994016462) STRUCTURE DE PASSIVATION MARGINALE HELICOIDALE POUR DES DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/016462    N° de la demande internationale :    PCT/US1994/000298
Date de publication : 21.07.1994 Date de dépôt international : 07.01.1994
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.08.1994    
CIB :
H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : HARRIS CORPORATION [US/US]; 1025 West NASA Boulevard, Melbourne, FL 32919 (US)
Inventeurs : NEILSON, John, Manning, Savidge; (US)
Mandataire : ROGERS, L., Lawton, III; Rogers & Killeen, 510 King Street, Suite 400, Alexandria, VA 22314 (US)
Données relatives à la priorité :
08/001,752 07.01.1993 US
Titre (EN) SPIRAL EDGE PASSIVATION STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) STRUCTURE DE PASSIVATION MARGINALE HELICOIDALE POUR DES DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)Semiconductor devices having a curved P-N junction in an active area of the device and an edge passivation region extending from the active area to an edge region of the device include an electrically resistive ribbon that spirals outwardly from the active area to the edge of the device so that a voltage difference between the active area and the edge region is spread along the length of the ribbon. The ribbon may take the form of a linear resistor or may include plural diodes. The distance between radially overlapping portions of the spiralling ribbon and the cross-sectional area of the ribbon may be varied to spred the equipotential lines in the device so as to reduce the effect of the curved P-N junctions on the breakdown voltage of the device.
(FR)Des dispositifs à semi-conducteurs, présentant une jonction P-N incurvée dans une zone active du dispositif et une région de passivation marginale s'étendant de la zone active à une région marginale du dispositif, comprennent un ruban à résistance électrique s'étendant de manière hélicoïdale vers l'extérieur, de la zone active jusqu'au bord du dispositif, de sorte qu'une différence de tension entre la zone active et la région marginale est étalée sur la longueur du ruban. Ce dernier peut avoir la forme d'une résistance linéaire ou peut comprendre plusieurs diodes. La distance entre des parties du ruban hélicoïdal qui se chevauchent radialement et la surface de section du ruban peuvent être modifiées de façon à étaler les courbes équipotentielles dans le dispositif afin de réduire l'effet des jonctions P-N incurvées sur la tension de rupture du dispositif.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)