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1. (WO1994015370) STRUCTURE DE DIODE METAL-ISOLANT-METAL ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/015370    N° de la demande internationale :    PCT/KR1993/000117
Date de publication : 07.07.1994 Date de dépôt international : 28.12.1993
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : ORION ELECTRIC COMPANY LTD. [KR/KR]; 165 Gongdan-dong, Gumi-shi, Kyungsangbuk-do 730-030 (KR) (Tous Sauf US).
KIM, Sung, Hwan [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : KIM, Sung, Hwan; (KR)
Mandataire : CHOI, Sung, Min; Samdo Building, 4th floor, 1-170, Soonhwa-dong, Chung-ku, Seoul 100-130 (KR)
Données relatives à la priorité :
1992/25683 28.12.1992 KR
Titre (EN) STRUCTURE OF MIM DIODE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE
(FR) STRUCTURE DE DIODE METAL-ISOLANT-METAL ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)This diode is used for a liquid crystal display of an active matrix type. The parasitic capacitance of the diode can be reduced, and a film with a large area and an even thickness can be formed, making it possible to fabricate a large liquid crystal display. An MIM diode has a structure made up of a metal layer for the lead-in electrode which is connected to a data bus, an ITO layer for the transparent electrode for forming a pixel, a metal layer for an electrode connecting the metal layer for the lead-in electrode, and the ITO layer, and an insulating layer between the metal layers for the lead-in electrode and connecting electrode. In this diode, a layer of porous aluminum oxide p-Al2O3 is formed between the insulating layer and the metal layer for connecting electrode.
(FR)Diode utilisée dans un afficheur à cristaux liquides du type à matrice active. On peut réduire la capacité parasite de la diode, et former une couche à superficie importante et à épaisseur homogène, ce qui rend possible la fabrication d'un afficheur à cristaux liquides de grandes dimensions. Une diode métal-isolant-métal (MIM) possède une structure constituée d'une couche métallique pour l'électrode de traversée raccordée à un bus de données, d'une couche d'oxyde d'étain dopé à l'indium (ITO) pour l'électrode transparente de formation d'un pixel, d'une couche métallique pour une électrode raccordant à la couche ITO la couche métallique pour l'électrode de traversée, et d'une couche isolante comprise entre les couches métalliques pour l'électrode de traversée et pour l'électrode de raccordement. Dans cette diode, une couche d'oxyde d'aluminium poreux (AL2O3-p) est formée entre la couche isolante et la couche métallique pour l'électrode de raccordement.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)