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1. (WO1994015369) DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS ELECTROLUMINESCENTS COMPOSES DES GROUPES II A VI ET CONTACT OHMIQUE A CET EFFET
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/015369    N° de la demande internationale :    PCT/US1993/012545
Date de publication : 07.07.1994 Date de dépôt international : 22.12.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.07.1994    
CIB :
H01L 21/36 (2006.01), H01L 21/44 (2006.01), H01L 33/14 (2010.01), H01S 5/042 (2006.01), H01S 5/347 (2006.01), H01L 27/15 (2006.01), H01L 33/26 (2010.01), H01L 33/28 (2010.01), H01S 5/223 (2006.01)
Déposants : RESEARCH CORPORATION TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; Suite 600, 101 N. Wilmot Road, Tucson, AZ 85711-3335 (US)
Inventeurs : GUNSHOR, Robert, L.; (US).
NURMIKKO, Arto, V.; (US).
HE, Li; (US).
FAN, Yongping; (US).
HAN, Jung; (US)
Mandataire : GROLZ, Edward, W.; Scully, Scott, Murphy & Presser, 400 Garden City Plaza, Garden City, NY 11530 (US)
Données relatives à la priorité :
995,454 22.12.1992 US
Titre (EN) GROUP II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICES AND AN OHMIC CONTACT THEREFOR
(FR) DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS ELECTROLUMINESCENTS COMPOSES DES GROUPES II A VI ET CONTACT OHMIQUE A CET EFFET
Abrégé : front page image
(EN)Group II-VI compound semiconductor light emitting devices which include at least one II-VI quantum well region of a well layer disposed between first and second barrier layers is disclosed. The quantun well region is sandwiched between first and second cladding layers of a II-VI semiconductor material. The first cladding layer is formed on and lattice matched to the first barrier layer and to a substrate of a III-V compound semiconductor material. The second cladding layer is lattice matched to the second barrier layer. The quantum well layer comprises a II-VI compound semiconductor material having the formula AxB(1-x)C wherein A and B are two different elements from Group II and C is at least one element from Group VI. When the second cladding layer has a p-type conductivity, a greaded bandgap ohmic contact according to the present invention can be utilized. The graded bandgap contact can be a single continuously graded II-VI p-type region or a plurality of cells with each of the cells having first and second thin layers of first and second p-type II-VI semiconductor materials respectively. Another embodiment of the present invention discloses a monolithic multicolor light emitting element capable of emitting four colors and a method for fabricating same. The monolithic multicolor element includes four II-VI semiconductor light emitting devices formed on a single III-V substrate.
(FR)Dispositif semi-conducteur électroluminescent composé des groupes II à VI comprenant au minimum une région de puits quantique constitué par une couche formant puits disposée entre les première et deuxième couches écran. La région de puits quantique est prise en sandwiche entre les première et deuxième couches de revêtement d'un matériau semi-conducteur des groupes II à VI. La première couche de revêtement est formée sur la première couche écran, avec laquelle elle entretient une correspondance de réseau, et sur un substrat constitué d'un matériau semi-conducteur d'un composé des groupes III à V. La deuxième couche de revêtement entretient une relation de réseau avec la deuxième couche écran. La couche formant puits quantique comprend un matériau semi-conducteur composé des groupes II à VI de la formule AxB(1-x)C dans laquelle A et B sont deux éléments différents du groupe II et C correspond à au moins un élément du groupe VI. Lorsque la seconde couche de revêtement présente une conductivité du type p, un contact ohmique à largeur de bande interdite calibrée prévue selon la présente invention peut être utilisé. Le contact à largeur de bande interdite calibrée peut être une région unique à calibrage continu des groupes II à VI du type p ou une série de cellules présentant chacune une première et une deuxième couche mince de matériau semi-conducteur des groupes II à VI d'un premier et d'un deuxième type p. Selon une autre configuration, la présente invention porte sur un élément électroluminescent multicolore monolithe capable d'émettre quatre couleurs et sur un procédé de réalisation ce cet élément. Cet élément multicolore monolithe renferme quatre dispositifs semi-concucteurs électroluminescents des groupes II à VI formés sur un seul et unique substrat des groupes III à V.
États désignés : CA, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)