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PATENTSCOPE

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1. (WO1994015361) PUCE A TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP AVEC PONT D'EXTRACTION DE CHALEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/1994/015361 N° de la demande internationale : PCT/US1993/012495
Date de publication : 07.07.1994 Date de dépôt international : 21.12.1993
CIB :
H01L 23/367 (2006.01) ,H01L 23/538 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01)
Déposants : HUGHES AIRCRAFT COMPANY[US/US]; 7200 Hughes Terrace Los Angeles, CA 90045-0066, US
Inventeurs : WOOLDRIDGE, John, J.; US
PODELL, Allen, F.; US
Mandataire : ALKOV, Leonard, A. ; Hughes Aircraft Company P.O. Box 80028 Building C1/M. S. A126 Los Angeles, CA 90080-0028, US
Données relatives à la priorité :
07/994,82222.12.1992US
Titre (EN) FET CHIP WITH HEAT-EXTRACTING BRIDGE
(FR) PUCE A TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP AVEC PONT D'EXTRACTION DE CHALEUR
Abrégé :
(EN) Semiconductor with field effect transistors therein has a substantial metallic source bridge joining the adjacent FET sources. The source bridge is mounted against a heat extracting support to both support the FET and cool it.
(FR) L'invention se rapporte à une puce de semiconducteur dans laquelle sont incorporés des transistors à effet de champ et qui comprend un pont de source essentiellement en métal reliant les sources de transistors à effet de champ adjacentes. Le pont de source est monté contre un support d'extraction de chaleur, qui sert à la fois à soutenir les transistors à effet de champ et à les refroidir.
États désignés : AU, CA, JP
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)