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1. (WO1994015341) RESEAU DE MEMOIRES SANS ILOT D'OXYDE EPAIS ET SON PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/015341    N° de la demande internationale :    PCT/US1993/012452
Date de publication : 07.07.1994 Date de dépôt international : 21.12.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.06.1994    
CIB :
G11C 16/04 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 2900 Semiconductor Corporation, Santa Clara, CA 95052-8090 (US)
Inventeurs : WOLSTENHOLME, Graham, R.; (US)
Mandataire : NELSON, H., Donald; National Semiconductor Corporation, 2900 Semiconductor Drive, M/S 16-135, Santa Clara, CA 95052-8090 (US).
HORTON, Andrew, Robert, Grant; Bowles Horton, Felden House, Dower Mews, High Street, Berkhamsted, Hertfordshire HP4 2BL (GB)
Données relatives à la priorité :
07/994,120 21.12.1992 US
Titre (EN) MEMORY ARRAY WITH FIELD OXIDE ISLANDS ELIMINATED AND METHOD
(FR) RESEAU DE MEMOIRES SANS ILOT D'OXYDE EPAIS ET SON PROCEDE
Abrégé : front page image
(EN)An electrically programmable nonvolatile semiconductor memory (44) which includes an array of programmable transistor cells, such as EPROM cells, which avoids the use of field oxide islands to provide electrical isolation. The cells are arranged in X number of rows and Y number of columns with the cells in at least two of the rows being designated as select cells and the remaining cells being designated as memory cells. Control circuitry is provided for causing the select cells (46) to supplying programming voltages to selected ones of the memory cells (48). Alternate ones of the select cells are initially programmed to a high threshold (inactive) state so as to provide electrical isolation for adjacent select cells which remain in the low threshold (active) state.
(FR)Une mémoire (44) rémanente à semi-conducteur programmable électriquement comprend un réseau de cellules à transistors programmables telles que des cellules de mémoire morte programmables électriquement, et ne nécessite pas d'îlot d'oxyde épais pour assurer une isolation électrique. Les cellules sont agencées dans un nombre X de rangées et un nombre Y de colonnes, lesdites cellules dans au moins deux des rangées étant appelées cellules de sélection et les cellules restantes étant appelées cellules mémoire. Un circuit de commande agit sur les cellules de sélection (46) pour leur faire alimenter en tensions de programmation certaines des cellules mémoire (48). D'autres cellules de sélection sont programmées initialement à un état de seuil (inactif) élevé de manière à conférer une isolation électrique à des cellules de sélection adjacentes, lesquelles restent à l'état de seuil (actif) bas.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)