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1. (WO1994015224) DETECTEUR MAGNETO-RESISTIF COMPORTANT DES COUCHES DE MESURE RACCOURCIES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/1994/015224 N° de la demande internationale : PCT/DE1993/001205
Date de publication : 07.07.1994 Date de dépôt international : 16.12.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 07.07.1994
CIB :
G01R 33/09 (2006.01)
Déposants : VAN DEN BERG, Hugo[NL/DE]; DE (UsOnly)
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT[DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München, DE (AllExceptUS)
Inventeurs : VAN DEN BERG, Hugo; DE
Données relatives à la priorité :
P 42 43 357.621.12.1992DE
Titre (EN) MAGNETO-RESISTIVE SENSOR WITH SHORTENED MEASUREMENT LAYERS
(FR) DETECTEUR MAGNETO-RESISTIF COMPORTANT DES COUCHES DE MESURE RACCOURCIES
(DE) MAGNETOWIDERSTANDS-SENSOR MIT VERKÜRZTEN MESSSCHICHTEN
Abrégé :
(EN) The magneto-resistive sensor proposed has a layer system containing at least one measurement layer (2) with a magnetization (M^¨B7M), in the plane of the layer, which is reversibly dependent at least in one direction on an applied magnetic field (H^¨B7) and at least one bias layer (6) with a permanent magnetization (M^¨B7B) in the plane of the layer, these two layers being interchangeably decoupled from each other by an intermediate layer (4). In order to ensure the magnetostatic decoupling of the measurement layer (2) and the bias layer (6), the measurement layer (2) is shorter, at least in one direction parallel to M^¨B7B, than the bias layer (6). The ground-state magnetization (M^¨B7MO) of the measurement layer (2) and the magnetization (M^¨B7B) of the bias layer (6) are at least approximately orthogonal to each other. This gives a sensor with linear characteristic and maximum sensitivity.
(FR) L'invention concerne un détecteur magnéto-résistif ayant un système de couches, qui contient au moins une couche de mesure (2) avec une aimantation (M^¨B7M) dans le plan de la couche, dépendant au moins dans une direction de manière réversible, d'un champ magnétique (H^¨B7) appliqué, et au moins une couche de polarisation (6) avec une aimantation fixe (M^¨B7B) dans le plan de la couche. Ces deux couches sont découplées l'une de l'autre de manière interchangeable par une couche intermediaire (4). Afin de découpler magnétostatiquement la couche de mesure (2) de la couche de polarisation (6), la couche de mesure (2) est plus courte que que la couche de polarisation (6), au moins dans une direction parallèle à M^¨B7B. L'aimantation de base (M^¨B7MO) de la couche de mesure (2) et la magnétisation (M^¨B7B) de la couche de polarisation (6) sont au moins approximativement orthogonales l'une par rapport à l'autre. Ce procédé permet d'obtenir un détecteur ayant une caractéristique linéaire et une sensibilité maximale.
(DE) Ein Magnetowiderstands-Sensor mit einem Schichtsystem gemäß der Erfindung enthält wenigstens eine Meßschicht (2) mit einer wenigstens in einer Richtung reversibel von einem anliegenden Magnetfeld (H^¨B7) abhängenden Magnetisierung (M^¨B7M) in der Schichtebene und wenigstens eine Biasschicht (6) mit einer festen Magnetisierung (M^¨B7B) in der Schichtebene, die durch eine Zwischenschicht (4) voneinander austauschentkoppelt sind. Zur magnetostatischen Entkoppelung der Meßschicht (2) und der Biasschicht (6) ist die Meßschicht (2) wenigstens in einer Richtung parallel zu M^¨B7B kürzer ausgebildet als die Bissschicht (6). Vorzugsweise sind die Grundzustandsmagnetisierung (M^¨B7MO) der Meßschicht (2) und die Magnetisierung (M^¨B7B) der Biasschicht (6) wenigstens annähernd orthogonal zueinander. So erhält man einen Sensor mit linearer Kennlinie und maximaler Empfindlichkeit.
États désignés : JP, KR, US
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)