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1. (WO1994014858) REDUCTION DE LA TENEUR EN IONS METALLIQUES DANS LE POLYHYDROXYSTYRENE ET LES PHOTORESISTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/014858    N° de la demande internationale :    PCT/US1993/012408
Date de publication : 07.07.1994 Date de dépôt international : 20.12.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.07.1994    
CIB :
C08F 8/00 (2006.01), G03F 7/004 (2006.01)
Déposants : HOECHST CELANESE CORPORATION [US/US]; Route 202-206 North, Somerville, NJ 08876 (US)
Inventeurs : RAHMAN, M., Dalil; (US).
SHEEHAN, Michael, T.; (US)
Mandataire : SAYKO, Andrew, F., Jr.; Hoechst Celanese Corporation, 86 Morris Avenue, Summit, NJ 07901 (US)
Données relatives à la priorité :
07/996,917 29.12.1992 US
Titre (EN) METAL ION REDUCTION IN POLYHYDROXYSTYRENE AND PHOTORESISTS
(FR) REDUCTION DE LA TENEUR EN IONS METALLIQUES DANS LE POLYHYDROXYSTYRENE ET LES PHOTORESISTS
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides methods for producing water insoluble, aqueous alkali soluble polyhydroxystyrene having a very low level of chloride and metal ions, utilizing treated anionic and acidic ion exchange resins. A method is also provided for producing photoresist composition having a very low level of metal ions from such polyhydroxystyrene and for producing semiconductor devices using such photoresist compositions.
(FR)L'invention concerne des procédés de production de polyhydroxystyrène aqueux soluble dans l'alcali et insoluble dans l'eau présentant une très faible teneur en chlorure et ions métalliques, à l'aide de résines échangeuses d'ions traitées anioniques et acides. L'invention se rapporte également à un procédé de production d'une composition à photorésist à très faible teneur en ions métalliques à partir dudit polyhydroxystyrène et à un procédé de production de dispositifs à semiconducteurs à l'aide desdites compositions à photorésist.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)