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1. (WO1994014198) TRANSISTOR A OXYDE METALLIQUE COMPORTANT UNE ELECTRODE PORTE COMPOSITE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CET ELEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/014198    N° de la demande internationale :    PCT/US1993/011116
Date de publication : 23.06.1994 Date de dépôt international : 16.11.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.06.1994    
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventeurs : CHAU, Robert, S.; (US).
FRASER, David, B.; (US).
CADIEN, Kenneth, C.; (US).
RAGHAVAN, Gopal; (US).
YAU, Leopoldo, D.; (US)
Mandataire : BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
07/989,080 11.12.1992 US
Titre (EN) A MOS TRANSISTOR HAVING A COMPOSITE GATE ELECTRODE AND METHOD OF FABRICATION
(FR) TRANSISTOR A OXYDE METALLIQUE COMPORTANT UNE ELECTRODE PORTE COMPOSITE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CET ELEMENT
Abrégé : front page image
(EN)A novel, reliable, high performance MOS transistor (300) with a composite gate electrode which is compatible with standard CMOS fabrication processes. The composite gate electrode comprises a polysilicon layer (302) formed on a highly conductive layer (304). The composite gate electrode is formed on a gate insulating layer (301) which is formed on a silicon substrate (308). A pair of source/drain regions (310a, 310b) are formed in the substrate and are self-aligned to the outside edges of the composite gate electrode.
(FR)Nouveau transistor MOS (300) fiable et à haute performance à électrode de commande composite compatible avec les procédés de fabrication standards CMOS. L'électrode de commande composite comprend une couche polysilicium (302) formée sur une couche hautement conductrice (304). Cette électrode de commande composite est formée sur une couche isolante de grille (301) laquelle est formée sur un substrat de silicium (308). Un couple de régions drain-source (310a, 310b) est formé sur le substrat, ces régions étant auto-alignées aux rebords externes de l'électrode de commande composite.
États désignés : AT, AU, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CZ, DE, DK, ES, FI, GB, HU, JP, KP, KR, KZ, LK, LU, MG, MN, MW, NL, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SK, UA, UZ, VN.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)