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1. (WO1994014197) TRANSISTOR BIPOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/014197    N° de la demande internationale :    PCT/EP1993/003462
Date de publication : 23.06.1994 Date de dépôt international : 09.12.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.07.1994    
CIB :
H01L 29/737 (2006.01)
Déposants : DAIMLER BENZ AG [DE/DE]; Postfach 80 02 30, D-70546 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
JORKE, Helmut [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : JORKE, Helmut; (DE)
Mandataire : AMERSBACH, Werner; AEG Aktiengesellschaft, Theodor-Stern-Kai 1, D-60596 Frankfurt (DE)
Données relatives à la priorité :
P 42 41 609.4 10.12.1992 DE
Titre (DE) BIPOLARTRANSISTOR
(EN) BIPOLAR TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung beschreibt den Aufbau eines Bipolartransistors für sehr hohe Frequenzen, bei welchem die Basis $g(d)-dotiert ist und die schwach n-dotierte Driftzone zwischen Basisschicht und Kollektoranschlußschicht eine Aufspaltung des Leitungsbandes mit einem in Driftrichtung leichte Elektronen energetisch bevorzugenden Leitungsbandminimums zeigt.
(EN)In a bipolar transistor design for very high frequencies, the base $g(d) is doped and the slightly n-doped drift zone between the base layer and the collector contact layer has a split conduction band with a minimum which strongly favours light electrons in the drift direction.
(FR)Dans une structure de transistor bipolaire pour très hautes fréquences, la base $g(d) est dopée et la zone de dérive à faible dopage n entre la couche de base et la couche de borne de collecteur a une bande de conduction clivée avec un minimum qui favorise fortement des électrons légers dans la direction de dérive.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)