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1. (WO1994014186) SUBSTRATS DESTINES AU TIRAGE DU CARBURE DE SILICIUM 3C
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/014186    N° de la demande internationale :    PCT/US1993/011900
Date de publication : 23.06.1994 Date de dépôt international : 07.12.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.07.1994    
CIB :
C30B 25/02 (2006.01)
Déposants : OREGON GRADUATE INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [US/US]; 19600 N.W. Von Neumann Drive, Beaverton, OR 97006-1999 (US)
Inventeurs : PARSONS, James, D.; (US).
CHADDA, Ajay, K.; (US).
CHEN, Her, Song; (US).
WU, Jin; (US)
Mandataire : POLLEY, Richard, J.; Klarquist, Sparkman, Campbell & Whinston, One World Trade Center, Suite 1600, 121 S.W. Salmon Street, Portland, OR 97204 (US)
Données relatives à la priorité :
986,999 07.12.1992 US
083,903 25.06.1993 US
Titre (EN) SUBSTRATES FOR THE GROWTH OF 3C-SILICON CARBIDE
(FR) SUBSTRATS DESTINES AU TIRAGE DU CARBURE DE SILICIUM 3C
Abrégé : front page image
(EN)A substrate for the growth of monocrystalline $g(b)-SiC is formed by providing a body of monocrystalline hexagonal material having a planar surface with a lattice parameter that is within + 5 % of the lattice parameter of 6H$g(a)-SiC in the basal plane (10) and growing a body of monocrystalline cubic material (12) on the surface to provide a planar cubic material surface that is without grain boundaries, subgrain boundaries, double positioning boundaries, and pits. The cubic material, for example TiC, ZrC, HfC, or TiN, has a rock salt structure and a lattice parameter within + 5 % of the lattice parameter of $g(b)-SiC. Monocrystalline $g(b)-SiC (18) can be nucleated and grown on the surface of the cubic material.
(FR)L'on forme un substrat destiné au tirage de $g(b)-SiC monocristallin au moyen d'un corps de matériau hexagonal monocristallin ayant une surface plane présentant un paramètre de réseau se trouvant dans ± 5 % du paramètre de réseau de 6H$g(a)-SiC dans le plan basal (10) et tirant un corps d'un matériau cubique (12) monocristallin sur la surface, afin d'obtenir une surface de matériau cubique plane sans limite des grains, des sous-grains, sans limite à double positionnement, et sans piqûre. Le matériau cubique, par exemple TiC, ZrC, HfC ou TiN, a une structure de sel gemme et un paramètre de réseau dans ± 5 % du paramètre de réseau de $g(b)-SiC. Le $g(b)-SiC (18) monocristallin peut être nucléé et tiré sur la surface du matériau cubique.
États désignés : HU, JP, KR, RU.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)