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1. (WO1994013049) DISPOSITIF DE CIRCUIT A COURANT LIMITE DESTINE A TRANSFERER UNE SURCHARGE DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/013049    N° de la demande internationale :    PCT/FI1993/000509
Date de publication : 09.06.1994 Date de dépôt international : 30.11.1993
CIB :
H03K 17/0814 (2006.01), H03K 17/082 (2006.01)
Déposants : NOKIA TELECOMMUNICATIONS OY [FI/FI]; Mäkkylän puistotie 1, FIN-02600 Espoo (FI) (Tous Sauf US).
LOUKUSA, Jarmo [FI/FI]; (FI) (US Seulement).
VARANKA, Kauko [FI/FI]; (FI) (US Seulement)
Inventeurs : LOUKUSA, Jarmo; (FI).
VARANKA, Kauko; (FI)
Mandataire : OY KOLSTER AB; Stora Robertsgatan 23, P.O. Box 148, SF-00121 Helsinki (FI)
Données relatives à la priorité :
925452 30.11.1992 FI
Titre (EN) ARRANGEMENT IN A CURRENT LIMITED CIRCUIT FOR TRANSFERRING OVERLOAD POWER
(FR) DISPOSITIF DE CIRCUIT A COURANT LIMITE DESTINE A TRANSFERER UNE SURCHARGE DE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to an arrangement in a current limited circuit for transferring overload power. The arrangement comprises a current limited semiconductor switch (Q17), and in the arrangement the current limiting of the semiconductor switch (Q17) is implemented by a current limiter (Z4) contained in the arrangement, and the arrangement further comprises a resistor (R49), which is coupled from the second electrode on the main current path to the signal path (A), a resistor (R48) being coupled between the electrodes on the main current path of the current limited semiconductor switch, said resistor being arranged - on account of a voltage drop brought about over said resistor (R48) by a decrease in the control current caused by a current limiter (Z4) - to take part of the current of said semiconductor switch (Q17) in overload conditions.
(FR)L'invention concerne un dispositif appliqué à un circuit courant limité pour transférer une surcharge de puissance. Ce dispositif comprend un commutateur à semi-conducteur à courant limité (Q17), et la limitation de courant du commutateur à semi-conducteur (Q17) est mise en oeuvre par un limiteur de courant (Z4) intégré au dispositif, lequel comprend en outre une résistance (R49), couplée depuis la deuxième électrode du trajet de courant principal vers le trajet de signal (A), et une résistance (R48) couplée entre les électrodes placées sur le trajet de courant principal du commutateur à semi-conducteur à courant limité. Cette résistance - dufait d'une baisse de tension qu'elle subit de par la baisse du courant de commande due au limiteur de courant (Z4) - est conçue pour absorber une partie du courant dudit commutateur à semi-conducteurs (Q17) dans des conditions de surcharge.
États désignés : AU, DE, GB, JP, SE, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : finnois (FI)