WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1994013018) TRANSISTOR A COUCHES MINCES POSSEDANT UN DIELECTRIQUE DE GRILLE A TROIS COUCHES, SON PROCEDE DE FABRICATION, ET AFFICHAGE A MATRICE ACTIVE MUNI D'UNE PLURALITE DE TRANSISTORS DE CE TYPE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/013018    N° de la demande internationale :    PCT/CA1992/000519
Date de publication : 09.06.1994 Date de dépôt international : 01.12.1992
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.06.1994    
CIB :
H01L 21/34 (2006.01), H01L 21/471 (2006.01), H01L 21/473 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01)
Déposants : LITTON SYSTEMS CANADA LIMITED [CA/CA]; 25 City View Drive, Etobicoke, Ontario M9W 5A7 (CA) (Tous Sauf US).
WAECHTER, David [CA/CA]; (CA) (US Seulement)
Inventeurs : WAECHTER, David; (CA)
Mandataire : PERRY, Stephen, J.; Sim & McBurney, 330 University Avenue, Suite 701, Toronto, Ontario M5G 1R7 (CA)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR HAVING A TRIPLE LAYER DIELECTRIC GATE INSULATOR, METHOD OF FABRICATING SUCH A THIN FILM TRANSISTOR AND AN ACTIVE MATRIX DISPLAY HAVING A PLURALITY OF SUCH THIN FILM TRANSISTORS
(FR) TRANSISTOR A COUCHES MINCES POSSEDANT UN DIELECTRIQUE DE GRILLE A TROIS COUCHES, SON PROCEDE DE FABRICATION, ET AFFICHAGE A MATRICE ACTIVE MUNI D'UNE PLURALITE DE TRANSISTORS DE CE TYPE
Abrégé : front page image
(EN)In an active matrix display having a plurality of thin film transistors for selectively enabling and disabling pixels of the display, the improvement comprising a gate insulator for each of said thin film transistors having triple layer dielectric.
(FR)Affichage à matrice active possédant une pluralité de transistors à couches minces servant à valider et invalider sélectivement les pixels de l'affichage. L'amélioration vient du fait que chacun desdits transistors à couches minces possèdant un diélectrique à trois couches est doté d'un isolant de grille.
États désignés : CA, JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)