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1. (WO1994013017) TRANSISTOR DE PUISSANCE A EFFET DE CHAMP EN CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/013017    N° de la demande internationale :    PCT/US1993/010490
Date de publication : 09.06.1994 Date de dépôt international : 27.10.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    03.06.1994    
CIB :
H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : CREE RESEARCH, INC. [US/US]; 2810 Meridian Parkway, Suite 176, Durham, NC 27713 (US) (Tous Sauf US).
PALMOUR, John, W. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PALMOUR, John, W.; (US)
Mandataire : SUMMA, Philip; Bell, Seltzer, Park & Gibson, P.O. Drawer 34009, Charlotte, NC 28234 (US)
Données relatives à la priorité :
980,753 24.11.1992 US
Titre (EN) POWER MOSFET IN SILICON CARBIDE
(FR) TRANSISTOR DE PUISSANCE A EFFET DE CHAMP EN CARBURE DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)The power metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) has a drain region, a channel region, and a source region formed of silicon carbide. The drain region has a substrate of silicon carbide of a first conductivity type and a drain-drift region of silicon carbide adjacent the substrate having the same conductivity type. The channel region is adjacent the drain-drift region and has the opposite conductivity type from the drain-drift region. The source region is adjacent the channel region and has the same conductivity type as the drain-drift region. The MOSFET has a gate region having a gate electrode formed on a first portion of the source region, a first portion of the channel region, and a first portion of the drain region. A source electrode is formed on a second portion of the source region and a second portion of the channel region. Also, a drain electrode is formed on a second portion of the drain region.
(FR)Le transistor de puissance à effet de champ à semi-conducteurs d'oxyde métallique possède une région drain, une région canal et une région source en carbure de silicium. La région drain possède un substrat en carbure de silicium d'un premier type de conductivité et une région drain-migration en carbure de silicium adjacente au substrat ayant le même type de conductivité. La région canal est adjacente à la région drain-migration et a le type de conductivité opposé à la région drain-migration. La région source est adjacente à la région canal et a le même type de conductivité que la région drain-migration. Le transistor à effet de champ a une région grille comportant une électrode de grille formée sur une première partie de la région source, une première partie de la région canal et une première partie de la région drain. Une électrode de source est formée sur une seconde partie de la région source et une seconde partie de la région canal. Une électrode de drain, également est formée sur une seconde partie de la région drain.
États désignés : AT, AU, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CZ, DE, DK, ES, FI, GB, HU, JP, KP, KR, KZ, LK, LU, LV, MG, MN, MW, NL, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SK, UA, US, UZ, VN.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)