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1. (WO1994013010) PROCEDE DE PROFILAGE D'ELEMENTS DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/013010    N° de la demande internationale :    PCT/US1992/010151
Date de publication : 09.06.1994 Date de dépôt international : 25.11.1992
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.06.1994    
CIB :
H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : FEI COMPANY [US/US]; 7451 N.E. Evergreen Parkway, Hillsboro, OR 97124 (US)
Inventeurs : SWANSON, Lynwood, W.; (US).
LINDQUIST, John, M.; (US)
Mandataire : DELLETT, John, P.; Dellett and Walters, 310 S.W. Fourth Avenue, Portland, OR 97204 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PROCESS OF SHAPING FEATURES OF SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) PROCEDE DE PROFILAGE D'ELEMENTS DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)Semiconductor devices are modified and/or repaired by a gas enhanced physical puttering process. A sample (22) is positioned on a movable X-Y stage (24) located within a lower chamber (26) which is evacuated and under the control of vacuum controller (32). In an evacuated envelop (10) a focused ion beam (18) passes from a liquid metal ion source (14) through column (16) and deflection means (20) and is scanned over an area to be removed on the sample (22). Iodine vapor from source (46) is directed toward the same area to aid in the selective sputtering by enabling a chemical reaction at the scanned area. The iodine may be initially handled in a solid state and is then heated inside the focused ion beam system without presenting a toxic hazard.
(FR)Des dispositifs à semi-conducteurs sont modifiés et/ou réparés par un procédé de pulvérisation physique renforcé au gaz. Un échantillon (22) est placé sur un plateau X-Y mobile (24) situé dans une chambre inférieure (26) dans laquelle un vide est produit, commandée par un contrôleur de vide (32). Dans une enveloppe (10) sous vide, un faisceau ionique concentré (18) passe d'une source (14) d'ions métalliques liquides à travers une colonne (16) et un élément déflecteur (20), et est balayé sur une région devant être enlevée de l'échantillon (22). De la vapeur d'iode provenant de la source (46) est dirigée vers la même région afin de favoriser la pulvérisation sélective en permettant à une réaction chimique d'avoir lieu dans la région balayée. L'iode peut initialement être manipulé à l'état solide, puis est chauffé à l'intérieur du système de faisceau ionique concentré sans présenter de risque de toxicité.
États désignés : CA, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)