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1. (WO1994013009) PROCEDES DE FABRICATION DE TRANSISTORS ET PROCEDES DE FORMATION DE COUCHES MULTIPLES DE RESINE PHOTOSENSIBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/013009    N° de la demande internationale :    PCT/US1993/011422
Date de publication : 09.06.1994 Date de dépôt international : 30.11.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.06.1994    
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8244 (2006.01), H01L 27/11 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : PARADIGM TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 71 Vista Montana, San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : YEN, Ting-Pwu; (US).
CHEN, Hsiang-Wen; (US)
Mandataire : SHENKER, Michael; Skjerven, Morrill, MacPherson, Franklin & Friel, 25 Metro Drive, Suite 700, San Jose, CA 95110 (US)
Données relatives à la priorité :
984,666 01.12.1992 US
Titre (EN) TRANSISTOR FABRICATION METHODS AND METHODS OF FORMING MULTIPLE LAYERS OF PHOTORESIST
(FR) PROCEDES DE FABRICATION DE TRANSISTORS ET PROCEDES DE FORMATION DE COUCHES MULTIPLES DE RESINE PHOTOSENSIBLE
Abrégé : front page image
(EN)Transistor fabrication methods are provided for transistors with current carrying elements above a semiconductor substrate. Only few mask alignments define critical dimensions such as the channel length of a MOS transistor. In one embodiment, where the channel region (154) overlies the gate (110), a first mask (126) is formed over the channel region (154), and an LDD implant is carried out. A second mask (158) is formed over the LDD portion of the drain region (150). The second mask (158) is allowed to extend over the first mask (126). A heavy doping implant is carried out. An LDD structure is provided on the drain but not on the source side with only the first mask (126) defining the channel length (134). In some embodiments, both masks include photoresist. The first photoresist mask (126) is hardened to prevent its lifting during development of the resist of the second mask (158).
(FR)Procédés de fabrication de transistors destinés à des transistors du type à éléments porteurs de courant situés sur un substrat à semi-conducteurs. Seuls quelques alignements du masque définissent des dimensions critiques telles que la longueur du canal d'un transistor MOS. Dans une forme de réalisation dans laquelle la zone (154) du canal recouvre la porte (110), un premier masque (126) est formé sur la zone (154) du canal et une implantation de drain faiblement dopé est réalisée. Un deuxième masque (158) est formé sur la partie de drain faiblement dopé de la zone (150) de drain. On laisse le deuxième masque (158) s'étendre sur le premier masque (126). Une forte implantation de dopage est réalisée. Une structure de drain faiblement dopé est prévue sur le drain mais pas sur le côté de source, seul le premier masque (126) définissant la longueur (134) du canal. Dans certaines formes de réalisation les deux masques renferment une résine photosensible. Le premier masque (126) de résine photosensible est durci pour éviter qu'il ne se soulève lorsque l'agent de réserve à couvrir du deuxième masque (158) se forme.
États désignés : CA, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)