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1. (WO1994013008) FORMATION D'UNE COUCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/013008    N° de la demande internationale :    PCT/GB1993/002359
Date de publication : 09.06.1994 Date de dépôt international : 16.11.1993
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : ELECTROTECH LIMITED [GB/GB]; Thornbury Laboratories, Littleton-upon-Severn, Bristol BS12 1NP (GB) (Tous Sauf US).
DOBSON, Christopher, David [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : DOBSON, Christopher, David; (GB)
Mandataire : MEWBURN ELLIS; 2 Cursitor Street, London EC4A 1BQ (GB)
Données relatives à la priorité :
9224260.1 19.11.1992 GB
Titre (EN) FORMING A LAYER
(FR) FORMATION D'UNE COUCHE
Abrégé : front page image
(EN)The method comprises depositing a layer (10) of a material (10) on the surface of an article (1) such that the layer (10) covers the mouth of a recess (3) leaving a void below the closed mouth. Subsequently, without elevating their temperature, the article (11) and layer (10) are subjected to elevated pressures (e.g. pressurised liquid) sufficient to cause the layer (10) to deform into the recess (3). Furthermore, the invention provides a method for forming a layer on such a surface, using the technique of magnetron sputtering and heating the article to increase the mobility of the deposited material. Also provided is apparatus for use in carrying out these methods, which methods are of particular use in the processing of semiconductor wafers.
(FR)Le procédé consiste à déposer une couche (10) de matériau (10) à la surface d'un article (1), de façon que ladite couche (10) recouvre l'entrée d'une cavité (3) tout en laissant un vide au-dessous de ladite entrée obturée. On soumet ensuite l'article (11) et la couche (10) à des pressions élevées suffisantes pour que la couche (10) se déforme dans la cavité (3), sans en augmenter les températures. De plus, l'invention concerne un procédé de formation d'une couche sur ce type de surface à l'aide de la technique de pulvérisation magnétron et par chauffage de l'article afin d'augmenter la mobilité du matériau déposé. L'invention porte également sur un appareil utilisé pour réaliser ces procédés, lesquels sont plus particulièrement utilisés dans le traitement de plaquettes en semiconducteur.
États désignés : GB, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)