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1. (WO1994012857) PROCEDE ET APPAREIL POUR MESURER PAR ELLIPSOMETRIE LA TEMPERATURE D'UN OBJET, NOTAMMENT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/012857    N° de la demande internationale :    PCT/FR1993/001142
Date de publication : 09.06.1994 Date de dépôt international : 19.11.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.05.1994    
CIB :
G01B 11/06 (2006.01), G01K 11/12 (2006.01)
Déposants : ECOLE CENTRALE DE LYON [FR/FR]; 36, avenue Guy-de-Collongue, B.P. 163, F-69131 Ecully Cédex (FR) (Tous Sauf US).
JOSEPH, Jacques [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
HU, Yao-Zhi [CN/US]; (US) (US Seulement).
IRENE, Eugène [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : JOSEPH, Jacques; (FR).
HU, Yao-Zhi; (US).
IRENE, Eugène; (US)
Mandataire : THIBAULT, Jean-Marc; Cabinet Beau de Loménie, 51, avenue Jean-Jaurès, B.P. 7073, F-69301 Lyon Cédex 07 (FR)
Données relatives à la priorité :
92/14430 25.11.1992 FR
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING BY ELLIPSOMETRY THE TEMPERATURE OF AN OBJECT, PARTICULARLY SEMICONDUCTOR
(FR) PROCEDE ET APPAREIL POUR MESURER PAR ELLIPSOMETRIE LA TEMPERATURE D'UN OBJET, NOTAMMENT SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)The method for measuring the surface temperature of an object comprises: taking ellipsometry measurements on the object in order to determine at least a first energy (E¿1?) and a second energy (E¿2?) of photons of an electromagnetic beam, energies for which the measurements are respectively substantially independent and dependent of the temperature; creating and directing towards the object an incident electromagnetic beam comprising at least the first (E¿1?) and the second (E¿2?) energies of photons; measuring the polarization change for the first photon energy (E¿1?) and determining, from said measurement, the thickness of the material layer; determining the temperature of the object surface from the measurement of the polarization change for the second photon energy (E¿2?) of the beam while taking into account the thickness of the material layer.
(FR)Le procédé pour mesurer la température de surface d'un objet consiste à: réaliser des mesures d'ellipsométrie sur l'objet, en vue de déterminer au moins une première (E¿1?) et une deuxième (E¿2?) énergies de photons d'un faisceau électromagnétique, pour lesquelles les mesures sont respectivement sensiblement indépendantes et dépendantes de la température, créer et diriger vers l'objet un faisceau incident électromagnétique comportant au moins la première (E¿1?) et la deuxième (E¿2?) énergies de photons, mesurer le changement de polarisation pour la première (E¿1?) énergie de photons et déterminer, à partir de cette mesure, l'épaisseur de la couche du matériau, et à déterminer la température de la surface de l'objet, à partir de la mesure du changement de polarisation pour la deuxième énergie de photons (E¿2?) du faisceau et en tenant compte de l'épaisseur de la couche de matériau.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)