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1. (WO1994012837) UNITE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE MONOSILANE DE TRES GRANDE PURETE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/012837    N° de la demande internationale :    PCT/EP1993/003378
Date de publication : 09.06.1994 Date de dépôt international : 30.11.1993
CIB :
C01B 33/04 (2006.01), F25J 3/08 (2006.01)
Déposants : L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE [FR/FR]; 75, quai d'Orsay, F-75321 Paris Cédex 07 (FR) (Tous Sauf US).
NAGAMURA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOMITA, Shinji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAGAMURA, Takashi; (JP).
TOMITA, Shinji; (JP)
Mandataire : ROBSON, Fiona; L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude, 75, quai d'Orsay, F-75321 Paris Cédex 07 (FR)
Données relatives à la priorité :
4/343536 01.12.1992 JP
Titre (EN) ULTRA-HIGH PURITY MONOSILANE PRODUCING PROCESS AND UNIT
(FR) UNITE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE MONOSILANE DE TRES GRANDE PURETE
Abrégé : front page image
(EN)An ultra-high purity monosilane producing process comprises: introducing a monosilane feed gas which also serves as a heat source to the lower stage of a duplex rectification column which is sectioned into an upper stage, a middle stage and a lower stage by means of an intermediate portion reboiler-condenser (RC2) and a lower portion reboiler-condenser (RC1); cooling down the monosilane feed gas by cold in the lower portion reboiler-condenser (RC1) so that the higher boiling point components are separated from the monosilane feed gas; introducing the remaining lower boiling point components to the upper stage by way of the middle stage and the intermediate portion reboiler-condenser (RC2) and cooling down the remaining components by refrigeration in the top portion of the upper stage so that monosilane and a lower boiling point component are separated; and rectifying this monosilane as a reflux liquid, whereby ultra-high purity monosilane is obtained from the bottom portion of the upper stage.
(FR)Procédé de production de monosilane de très grande pureté, consistant à introduire dans l'étage inférieur d'une colonne duplex de rectification un monosilane gazeux de charge servant également de source de chaleur, ladite colonne étant partagée en un étage supérieur, un étage intermédiaire et un étage inférieur au moyen d'un rebouilleur-condenseur intermédiaire (RC2) et d'un rebouilleur-condenseur inférieur (RC1); à refroidir le monosilane gazeux de charge dans le rebouilleur-condenseur inférieur (RC1) afin de séparer du monosilane gazeux de charge les constituants à point d'ébullition élevé; à introduire dans l'étage supérieur les constituants restants à point d'ébullition moins élevé, par l'intermédiaire de l'étage intermédiaire et du rebouilleur-condenseur intermédiaire (RC2); à refroidir les constituants restants par réfrigération dans la partie supérieure de l'étage supérieur afin de séparer le monosilane et un constituant à point d'ébullition moins élevé; puis à rectifier ce monosilane sous forme de liquide de reflux, de manière à obtenir du monosilane de très grande pureté à partir de la partie inférieure de l'étage supérieur.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)