WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1994012697) PROCEDE DE CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL ET SON DISPOSITIF DE MISE EN ×UVRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/012697    N° de la demande internationale :    PCT/RU1993/000287
Date de publication : 09.06.1994 Date de dépôt international : 30.11.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.06.1994    
CIB :
C30B 23/00 (2006.01)
Déposants : NAUCHNO-PROIZVODSTVENNOE PREDPRIYATIE 'PRINCIPIA OPTICS' [RU/RU]; Fian-Principia, Moskovskaya obl., Troitsk, 142092 (RU) (Tous Sauf US).
PRINCIPIA OPTICS INC. [US/US]; 9200 Sunset Boulevard, Suite 701, Los Angeles, CA 90069 (US) (Tous Sauf US).
KOROSTELIN, Jury Vladimirovich [RU/RU]; (RU) (US Seulement)
Inventeurs : KOROSTELIN, Jury Vladimirovich; (RU)
Mandataire : 'SOJUZPATENT'; ul. Iliinka, 5/2, Moscow, 103735 (RU)
Données relatives à la priorité :
92006964/26 01.12.1992 RU
Titre (EN) PROCESS FOR GROWING A MONOCRYSTAL AND A DEVICE FOR CARRYING THIS OUT
(FR) PROCEDE DE CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL ET SON DISPOSITIF DE MISE EN ×UVRE
Abrégé : front page image
(EN)A process for growing a monocrystal involves heating the parent semiconductor substance to a temperature higher than the growth temperature. A temperature field with a particular configuration of isothermal surfaces is created around the seed crystal (7). One of these surfaces is at the growth temperature of the monocrystal and extends along the boundary between the vapour and solid phases. The profile of the monocrystal surface as it is formed depends on the configuration of the isothermal surfaces of the temperature field. The process of growing the monocrystal involves displacing the seed crystal (7) and growing monocrystal in the direction opposite to the direction of growth of the monocrystal. A device for carrying out this process comprises a body (1) made of a refractory material and mounted within the heating unit (2). The said body accommodates a chamber (4) for the raw semiconductor material and the seed crystal (7) holder (8), a device (10) for creating a temperature field above the seed crystal (7) being arranged between the two.
(FR)Un procédé de croissance d'un monocristal consiste à chauffer la substance semi-conductrice d'origine à une température supérieure à la température de croissance du monocristal. On crée un champ de température présentant une configuration particulière de surfaces isothermiques au voisinage du germe de cristal (7). Une de ces surfaces est à la température de croissance du monocristal et s'étend le long de la limite entre les phases vapeur et solide. Le profil de la surface du monocristal à mesure qu'il est formé dépend de la configuration des surfaces isothermiques du champ de température. Le procédé de croissance du monocristal consiste à déplacer le germe de cristal (7) et le monocristal en croissance dans le sens opposé au sens de croissance du monocristal. Un dispositif de mise en ÷uvre de ce procédé comprend un corps (1) en matériau réfractaire, monté à l'intérieur de l'unité de chauffage (2). Ledit corps loge une chambre (4) destinée à la matière semi-conductrice brute et au support (8) du germe de cristal (7), entre lesquels est agencé un dispositif destiné à créer un champ de température au-dessus du germe de cristal (7).
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : russe (RU)
Langue de dépôt : russe (RU)