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1. (WO1994009178) DEPOT A BASSE TEMPERATURE DE NITRURE DE SILICIUM CRISTALLIN, AMELIORE PAR ADDITION DE MOLYBDENE

Pub. No.:    WO/1994/009178    International Application No.:    PCT/US1993/002140
Publication Date: 28 avr. 1994 International Filing Date: 10 mars 1993
IPC: C23C 16/30
C23C 16/34
Applicants: MARTIN MARIETTA ENERGY SYSTEMS, INC.
Inventors: LOWDEN, Richard, A.
Title: DEPOT A BASSE TEMPERATURE DE NITRURE DE SILICIUM CRISTALLIN, AMELIORE PAR ADDITION DE MOLYBDENE
Abstract:
L'invention concerne un procédé de dépôt chimique par vapeur de nitrure de silicium cristallin, qui comprend les étapes suivantes: introduction d'un mélange de silicium, de molybdène, d'azote et d'hydrogène dans une enceinte contenant un substrat adéquat; décomposition thermique du mélange pour déposer sur le substrat une couche comprenant du nitrure de silicium cristallin comportant une dispersion de siliciure de molybdène.