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1. (WO1994008076) DIAMANT DEPOSE PAR HETEROEPITAXIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/008076    N° de la demande internationale :    PCT/DE1993/000936
Date de publication : 14.04.1994 Date de dépôt international : 01.10.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.04.1994    
CIB :
C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/27 (2006.01), C30B 25/10 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodstrasse 54, D-80636 München (DE) (Tous Sauf US).
DAIMLER BENZ AG [DE/DE]; Epplestrasse 225, D-70567 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
KLAGES, Claus-Peter [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
JIANG, Xin [CN/DE]; (DE) (US Seulement).
FÜSSER, Hans-Jürgen [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HARTWEG, Martin [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ZACHAI, Reinhard [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
RÖSLER, Manfred [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KLAGES, Claus-Peter; (DE).
JIANG, Xin; (DE).
FÜSSER, Hans-Jürgen; (DE).
HARTWEG, Martin; (DE).
ZACHAI, Reinhard; (DE).
RÖSLER, Manfred; (DE)
Mandataire : PFENNING-MEINIG-BUTENSCHÖN-BERGMANN-NÖTH-REITZLE-HENGELHAUPT-KRAUS; Mozartstrasse 17, D-80336 München (DE)
Données relatives à la priorité :
P 42 33 085.8 01.10.1992 DE
Titre (DE) HETEROEPITAKTISCH ABGESCHIEDENES DIAMANT
(EN) HETEROEPITAXIALLY DEPOSITED DIAMOND
(FR) DIAMANT DEPOSE PAR HETEROEPITAXIE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung heteroepitaktischer Diamantenschichten auf Si-Substraten mittels CVD und üblichen Prozessgasen, wobei (a) Vorbehandlund der Si-Oberfläche durch Anlegen eines Vakuums und Erhitzen des Si-Substrates auf Temperaturen grösser als 300 °C, bevorzugt zwischen 600 und 1100 °C; (b) Durchführung einer Keimbildungsphase unter Anlegung einer Bias-Spannung im Bereich von -60 bis -300 Volt bei einer Substrattemperatur von 400 bis 1100 °C; (c) Durchführung der Diamantabscheidung unter an und für sich bekannten Bedingungen ohne Anlegung einer Bias-Spannung.
(EN)The invention pertains to a process for producing heteroepitaxial diamond layers on Si substrates by means of chemical vapor deposition and common process gases, wherein (a) the Si surface is pretreated by creating a vacuum and heating the Si substrate to temperatures greater than 300 °C, preferably between 600 and 1100 °C; (b) a nucleation phase is carried out with a negative bias voltage applied in the range of -60 to -300 volts at a substrate temperature of 400 to 1100 °C; (c) the diamond deposition is carried out under per se known conditions without applying a bias voltage.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de couches diamantées déposées par hétéroépitaxie sur des substrats de silicium, par dépôt chimique en phase vapeur et à l'aide de gaz de traitement usuels. Dans ce procédé, a) la surface de Si est prétraitée par application d'un vide et chauffage du substrat de Si à des températures supérieures à 300 °C, de préférence comprises entre 600 et 1100 °C; b) une phase de germination est réalisée avec application d'une tension de polarisation négative comprise entre -60 et -300 volts à une température du substrat comprise entre 400 et 1100 °C; c) le dépôt du diamant est réalisé dans des conditions connues en soi sans application d'une tension de polarisation.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)