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1. (WO1994007611) PROCEDE DE FORMATION DE CIRCUITS PAR ATOMISATION AU POCHOIR

Pub. No.:    WO/1994/007611    International Application No.:    PCT/US1993/008749
Publication Date: 14 avr. 1994 International Filing Date: 16 sept. 1993
IPC: C23C 4/00
C23C 4/02
H05K 3/14
Applicants: MOTOROLA, INC.
Inventors: ERRICHIELLO, Dominic, R.
Title: PROCEDE DE FORMATION DE CIRCUITS PAR ATOMISATION AU POCHOIR
Abstract:
Un élément de circuit imprimé est constitué d'un substrat non conducteur (100) présentant des chemins de circuit métalliques conducteurs (203) liés sur au moins une surface du substrat par atomisation à chaud au pochoir (1301). Dans un mode de réalisation, les deux côtés du substrat (100) sont traités selon ce procédé. Dans un autre mode de réalisation, une seconde couche de matériau conducteur (301) tel que de l'étain est également déposée par atomisation à chaud sur la première couche conductrice. Cette technique d'atomisation à chaud au pochoir s'adapte facilement à des surfaces en trois dimensions comme c'est le cas lorsque des cartes imprimées moulées sont utilisées.