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1. (WO1994007260) COUCHE ANTIREFLET ET PROCEDE DE STRUCTURATION LITHOGRAPHIQUE D'UNE TELLE COUCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/1994/007260 N° de la demande internationale : PCT/DE1993/000857
Date de publication : 31.03.1994 Date de dépôt international : 14.09.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 12.04.1994
CIB :
G03F 7/09 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
09
caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants : KÜSTERS, Karl-Heinz[DE/FR]; FR (UsOnly)
KÜPPER, Paul[DE/DE]; DE (UsOnly)
CZECH, Günther[DE/DE]; DE (UsOnly)
JOSWIG, Hellmut[DE/DE]; DE (UsOnly)
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT[DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München, DE (AllExceptUS)
Inventeurs : KÜSTERS, Karl-Heinz; FR
KÜPPER, Paul; DE
CZECH, Günther; DE
JOSWIG, Hellmut; DE
Données relatives à la priorité :
P 42 31 312.018.09.1992DE
Titre (EN) ANTIREFLEX LAYER AND PROCESS FOR LITHOGRAPHICALLY STRUCTURING SUCH A LAYER
(FR) COUCHE ANTIREFLET ET PROCEDE DE STRUCTURATION LITHOGRAPHIQUE D'UNE TELLE COUCHE
(DE) ANTIREFLEXSCHICHT UND VERFAHREN ZUR LITHOGRAFISCHEN STRUCKTURIERUNG EINER SCHICHT
Abrégé :
(EN) A thick layer made of aSi or aSi/aSiN is used for lithographically structuring layers (2) on a semiconductor substrate (1). The suppression of reflection is based on absorption in the aSi layer and on interference in the aSiN layer. An optical decoupling of the background is achieved, so that this antireflex layer has universal applications.
(FR) L'invention concerne l'utilisation d'une couche épaisse en aSi ou en aSi/aSiN servant de couche antireflet lors de la structuration lithographique de couches (2) sur un substrat semi-conducteur (1). La suppression de la réflexion repose sur l'absorption dans la couche en aSi ainsi que sur l'interférence dans la couche aSiN. On arrive à un découplage optique du fond, de sorte que la couche antireflet peut être utilisée de manière universelle.
(DE) Es wird vorgeschlagen, eine dicke Schicht aus aSi oder aSi/aSiN als Antireflexschicht (3) bei der lithographischen Strukturierung von Schichten (2) auf einem Halbleitersubstrat (1) zu verwenden. Die Reflexionsunterdrückung beruht dabei auf Absorption in der aSi-Schicht sowie auf Interferenz in der aSiN-Schicht. Es wird eine optische Entkopplung des Untergrunds erreicht, so daß die Antireflexschicht universell einsetzbar ist.
États désignés : JP, KR, US
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)