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1. (WO1994006571) UNIFORMITE D'UN FILM PAR REGULATION SELECTIVE DU GRADIENT DE PRESSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/006571    N° de la demande internationale :    PCT/US1993/008915
Date de publication : 31.03.1994 Date de dépôt international : 20.09.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.04.1994    
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : GENUS, INC. [US/US]; 1139 Karlstad Drive, Sunnyvale, CA 95127 (US)
Inventeurs : SCHMITZ, Johannes, J.; (US).
CHOW, Raymond, L.; (US).
KANG, Sien, G.; (US).
RODE, Edward, J.; (US).
UHER, Frank, O.; (US)
Mandataire : SMITH, Joseph, H.; 4410 Casa Madeira Lane, San Jose, CA 95127 (US)
Données relatives à la priorité :
07/950,088 22.09.1992 US
Titre (EN) FILM UNIFORMITY BY SELECTIVE PRESSURE GRADIENT CONTROL
(FR) UNIFORMITE D'UN FILM PAR REGULATION SELECTIVE DU GRADIENT DE PRESSION
Abrégé : front page image
(EN)A system (65) for depositing a film on a substrate in a CVD process has a second-source injection sub-system (83) for injecting a control gas. The deposition rate of the material deposited in the CVD process is a function of the concentration of the control gas at the point that material is deposited. The second source injection sub-system (83) provides a concentration gradient of the control gas relative to the substrate surface coated, and alters the thickness uniformity of the film. By controlling the gradient one may control the thickness uniformity profile. In another embodiment, the invention applies to dry etching with reactive gas, and the etching rate is controlled by second source provision of a control gas.
(FR)Un système (65) permet de déposer un film sur un substrat dans un procédé CVD. Le système possède un sous-système (83) d'injection d'une seconde source pour injecter un gaz de régulation. La vitesse de dépôt de la matière déposée au cours du procédé CVD est une fonction de la concentration du gaz de régulation au point où le matériau est déposé. Le sous-système (83) d'injection d'une seconde source fournit un gradient de concentration du gaz de régulation par rapport à la surface du substrat revêtu et modifie l'uniformité d'épaisseur du film. En régulant le gradient, il est possible de réguler le profil d'uniformité d'épaisseur. Dans un autre mode de réalisation, l'invention concerne l'attaque à sec en utilisant un gaz réactif, et la vitesse d'attaque est régulée par une seconde source d'un gaz de régulation.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)