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1. WO1994006156 - DISPOSITIF MONOLITHIQUE DE DETECTION/D'EMISSION DE LUMIERE MULTICOLORE

Numéro de publication WO/1994/006156
Date de publication 17.03.1994
N° de la demande internationale PCT/US1993/008310
Date du dépôt international 02.09.1993
CIB
H01L 31/0687 2012.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
06caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
068les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin
0687Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
CPC
H01L 31/0687
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
068the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
0687Multiple junction or tandem solar cells
H01L 33/0016
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0004Devices characterised by their operation
0008having p-n or hi-lo junctions
0016having at least two p-n junctions
Y02E 10/544
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
544Solar cells from Group III-V materials
Déposants
  • MIDWEST RESEARCH INSTITUTE [US]/[US] (AllExceptUS)
  • WANLASS, Mark, W. [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • WANLASS, Mark, W.
Mandataires
  • O'CONNOR, Edna, M.
Données relatives à la priorité
939,00302.09.1992US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MONOLITHIC MULTI-COLOR LIGHT EMISSION/DETECTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF MONOLITHIQUE DE DETECTION/D'EMISSION DE LUMIERE MULTICOLORE
Abrégé
(EN)
A single-crystal, monolithic, tandem, multicolor optical transceiver device (100) is described, including (a) an InP substrate (102) having upper and lower surfaces, (b) a first junction (104) on the upper surface of the InP substrate, (c) a second junction (106) on the first junction. The first junction is preferably GaInAsP of defined composition, and the second junction is preferably InP. The two junctions are lattice matched. The second junction has a larger energy band gap than the first junction. Additional junctions (108) having successively larger energy band gaps may be included. The device is capable of simultaneous and distinct multicolor emission and detection over a single optical fiber.
(FR)
L'invention concerne un dispositif émetteur-récepteur optique multicolore, tandem, monolithique et monocristal (100) constitué (a) d'un substrat InP (102) présentant une surface supérieure et une surface inférieure, (b) d'une première couche de jonction (104) sur la surface supérieure du substrat InP, (c) d'une deuxième couche de jonction (106) sur la première couche de jonction. La première couche de jonction est constituée de préférence de GaInAsP selon une composition définie, et la deuxième couche de jonction est de préférence constituée de InP. Les réseaux des deux couches de jonction sont mis en correspondance. La deuxième couche de jonction présente une bande interdite plus importante que la première jonction. On peut rajouter des couches de jonction (108) présentant des bandes interdites successivement plus importantes. Le dispositif selon l'invention permet d'assurer simultanénment et séparément l'émission multicolore et la détection sur une seule fibre optique
Également publié en tant que
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