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1. (WO1994005041) STRUCTURE ANTIFUSIBLE ET PROCEDE DE FORMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/005041    N° de la demande internationale :    PCT/US1993/007675
Date de publication : 03.03.1994 Date de dépôt international : 19.08.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.03.1994    
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/525 (2006.01)
Déposants : XILINX, INC. [US/US]; 2100 Logic Drive, San Jose, CA 95124 (US)
Inventeurs : LOOK, Kevin, Tai; (US).
WOLSHEIMER, Evert, Antonius; (US)
Mandataire : YOUNG, Edel, M.; Xilinx, Inc., 2100 Logic Drive, San Jose, CA 95124 (US).
W.P. THOMPSON & CO.; High Holborn House, 52-54 High Holborn, London WC1V 6RY (GB)
Données relatives à la priorité :
933,428 21.08.1992 US
Titre (EN) ANTIFUSE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING
(FR) STRUCTURE ANTIFUSIBLE ET PROCEDE DE FORMATION
Abrégé : front page image
(EN)An antifuse for programmable integrated circuit devices is formed above a refractory metal on a thin native oxide layer and comprises an amorphous compound resulting from a PECVD deposition using a combination of silane gas and nitrogen. After formation of the amorphous antifuse layer, the layer is implanted with an atomic species such as argon. The thin oxide layer is formed on the surface of a refractory metal, therefore the process of forming the oxide is slow, the oxide is of even thickness, and the thickness can be controlled precisely. In a preferred embodiment, a second thin oxide layer is formed above the doped amorphous layer. The oxide layers significantly reduce the leakage current of an unprogrammed antifuse. Because of these thin oxide layers and the implantation step, the amorphous layer may be as thin as 200A.
(FR)Un antifusible pour des dispositifs à circuits intégrés programmables est formé au-dessus d'un métal réfractaire sur une couche fine d'oxyde natif et comprend un composé obtenu d'un dépôt PCVD en utilisant une combinaison de gaz silane et d'azote. Après formation de la couche antifusible amorphe, la couche est implantée avec une espèce atomique telle que l'argon. La couche d'oxyde mince est formée sur la surface d'un métal réfractaire, et par conséquent le processus de formation de l'oxyde est lent, l'oxyde a une épaisseur régulière et l'épaisseur peut être contrôlée de manière précise. Dans un mode préférentiel de réalisation, une seconde couche mince d'oxyde est formée au-dessus de la couche amorphe dopée. Les couches d'oxyde réduisent considérablement le courant de fuite d'un antifusible non programmé. En raison de ces couches d'oxydes minces et de l'étape d'implantation, la couche amorphe peut avoir une épaisseur aussi faible que 200 Å.
États désignés : CA, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)