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1. (WO1994005011) MEMOIRES OPTO-ELECTRONIQUES A COUCHES MINCES PHOTOCONDUCTRICES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/005011    N° de la demande internationale :    PCT/US1993/007821
Date de publication : 03.03.1994 Date de dépôt international : 19.08.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.03.1994    
CIB :
G11B 9/00 (2006.01), G11B 9/08 (2006.01), G11B 11/08 (2006.01), G11C 7/00 (2006.01), G11C 13/04 (2006.01)
Déposants : BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM [US/US]; 201 West 7th Street, Austin, TX 78701 (US)
Inventeurs : LIU, Chongyang; (US).
PAN, Horng-long; (TW).
BARD, Allen, J.; (US).
FOX, Marye, Anne; (US)
Mandataire : HODGINS, Daniel, S.; Arnold, White & Durkee, P.O. Box 4433, Houston, TX 77210 (US)
Données relatives à la priorité :
07/933,452 21.08.1992 US
Titre (EN) OPTOELECTRONIC MEMORIES WITH PHOTOCONDUCTIVE THIN FILMS
(FR) MEMOIRES OPTO-ELECTRONIQUES A COUCHES MINCES PHOTOCONDUCTRICES
Abrégé : front page image
(EN)Methods and apparatii are described for information storage in photoconductive film of single layer composition by irradiation of memory elements simultaneously with application of an electric field. Information is stored as trapped charge accumulations in the film when the irradiation is removed, but trapped charge can be released by subsequent irradiation. Repeated information storage, followed by erasure, returns the films to their original state without degradation.
(FR)Sont décrits des procédés et des appareils pour le stockage d'informations dans un film photoconducteur d'une composition monocouche par irradiation d'éléments de mémoire simultanément avec l'application d'un champ électrique. Les informations sont stockées dans le film sous forme d'accumulations de charges piégées lorsque l'on supprime l'irradiation, mais ces charges piégées peuvent être libérées par irradiation ultérieure. Après un stockage répété d'informations suivi d'un effacement, ces films retrouvent leur état initial sans dégradation.
États désignés : AT, AU, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CZ, DE, DK, ES, FI, GB, HU, JP, KP, KR, KZ, LK, LU, MG, MN, MW, NL, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SK, UA, VN.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)