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1. (WO1994001891) PROCEDE DE FABRICATION DE CONDENSATEURS DE MEMORISATION POUR CELLULES DRAM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/1994/001891 N° de la demande internationale : PCT/DE1993/000516
Date de publication : 20.01.1994 Date de dépôt international : 15.06.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 13.10.1993
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/8242 (2006.01)
Déposants : RÖSNER, Wolfgang[DE/DE]; DE (UsOnly)
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT[DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München, DE (AllExceptUS)
Inventeurs : RÖSNER, Wolfgang; DE
Données relatives à la priorité :
P 42 22 467.508.07.1992DE
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING STORAGE CAPACITORS FOR DRAM CELLS
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE CONDENSATEURS DE MEMORISATION POUR CELLULES DRAM
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SPEICHERKONDENSATOREN FÜR DRAM-ZELLEN
Abrégé :
(EN) In order to produce storage capacitors for DRAM cells, position holders (81) are made from SiO2 using auxiliary layers of SiO2 and polysilicon which are arranged in accordance with the negative pattern of the storage node arrangement (91). The storage nodes (91) are formed by the full-surface deposition and structuring of a doped polysilicon layer in such a way that they cover the surface inside the position holders (81) and their side walls and the surface of the position holders (81) is revealed in its upper region. After the position holders (81) have been removed, a storage dielectric and a cell plate are formed. The process is applicable to the production of stacked capacitor DRAM cells.
(FR) Pour fabriquer des condensateurs de mémorisation pour cellules DRAM, on réalise des supports de positionnement (81) en SiO2 en utilisant des couches auxiliaires en SiO2 et en polysilicium. Ces supports de positionnement (81) sont disposés conformément au schéma négatif de la position des n÷uds de mémorisation (91). Les n÷uds de mémorisation (91) sont formés par le dépôt sur toute la surface et la structuration d'une couche de polysilicium dopée, de manière à ce qu'ils recouvrent la surface à l'intérieur des supports de positionnement (81) et les parois latérales des supports de positionnement (81) et que la surface des supports de positionnement (81) reste libre dans leur zone supérieure. Après on réalise un diélectrique de mémorisation et une plaque de cellules. Le procédé peut être utilisé lors de la fabrication de cellules-DRAM à condensateurs multicouches.
(DE) Zur Herstellung von Speicherkondensatoren für DRAM-Zellen werden unter Verwendung von Hilfsschichten aus SiO2 und Polysilizium Platzhalter (81) aus SiO2 gebildet, die entsprechend dem negativen Muster der Speicherknotenanordnung (91) angeordnet sind. Die Speicherknoten (91) werden durch ganzflächiges Abscheiden und Strukturieren einer dotierten Polysiliziumschicht so gebildet, daß die Fläche innerhalb der Platzhalter (81) und die Seitenwände der Platzhalter (81) bedecken und daß die Oberfläche der Platzhalter (81) im oberen Bereich der Platzhalter (81) freigelegt ist. Nach Entfernen der Platzhalter (81) werden ein Speicherdielektrikum und eine Zellplatte gebildet. Das Verfahren ist bei der Herstellung Stacked-Capacitor-DRAM-Zelle einsetzbar.
États désignés : JP, KR, US
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)