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1. (WO1994000878) PROCEDES DE FORMATION D'UNE INTERCONNEXION LOCALE ET D'UNE CHARGE DE POLYSILICIUM A RESISTANCE ELEVEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/000878    N° de la demande internationale :    PCT/US1993/005243
Date de publication : 06.01.1994 Date de dépôt international : 28.05.1993
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 27/11 (2006.01)
Déposants : DIGITAL EQUIPMENT CORPORATION [US/US]; 146 Main Street, Maynard, MA 01754 (US)
Inventeurs : NASR, Andre, I.; (US)
Mandataire : NATH, Rama, B.; Digital Equipment Corporation, 111 Powdermill Road (MS02-3/C1), Maynard, MA 01754 (US)
Données relatives à la priorité :
07/904,389 25.06.1992 US
Titre (EN) METHODS OF FORMING A LOCAL INTERCONNECT AND A HIGH RESISTOR POLYSILICON LOAD
(FR) PROCEDES DE FORMATION D'UNE INTERCONNEXION LOCALE ET D'UNE CHARGE DE POLYSILICIUM A RESISTANCE ELEVEE
Abrégé : front page image
(EN)Methods of forming local interconnects and high resistor polysilicon loads are disclosed. The local interconnects (74) are formed by depositing a layer of polysilicon (70) over CoSi2 (62) in partially fabricated semiconductor wafers. The polysilicon is then coated with cobalt and annealed to form a second layer of CoSi2. The method can be expanded to form a high resistor polysilicon load by depositing and patterning an oxide layer (64) to form contact windows before application of the polysilicon layer (70). Another oxide layer (78) is deposited over the polysilicon (70) and patterned before application of the cobalt layer (82) to define the areas which create the resistor load.
(FR)L'invention décrit des procédés de formation d'interconnexions locales et de charges de polysilicium à résistance élevée. Les interconnexions locales (74) sont constituées par dépôt d'une couche de polysilicium (70) au-dessus de CoSi2 (62) dans des tranches à semi-conducteurs partiellement fabriquées. On recouvre ensuite le polysilicium de cobalt et on le recuit pour constituer une deuxième couche de CoSi2. Le procédé peut être étendu, de façon à constituer une charge de polysilicium à résistance élevée par dépôt et configuration d'une couche d'oxyde (64), afin de créer des fenêtres de contact avant l'application de la couche de polysilicium (70). On dépose une autre couche d'oxyde (78) au-dessus du polysilicium (70) et on la configure avant l'application de la couche de cobalt (82), afin de définir les zones créant la charge de résistance.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)