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1. WO1994000874 - PROCEDE DE FABRICATION D'UN CONDENSATEUR EN CUVETTE

Numéro de publication WO/1994/000874
Date de publication 06.01.1994
N° de la demande internationale PCT/DE1993/000551
Date du dépôt international 24.06.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 07.10.1993
CIB
H01L 21/02 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 21/82
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
H01L 28/91
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
28Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
40Capacitors
60Electrodes
82with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
90having vertical extensions
91made by depositing layers, e.g. by depositing alternating conductive and insulating layers
Déposants
  • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • AUER, Stefan [DE]/[DE] (UsOnly)
  • KOHLHASE, Armin [DE]/[DE] (UsOnly)
  • MELZNER, Hanno [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • AUER, Stefan
  • KOHLHASE, Armin
  • MELZNER, Hanno
Données relatives à la priorité
P 42 21 431.930.06.1992DE
Langue de publication Allemand (de)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINEN SCHÜSSELKONDENSATOR
(EN) PROCESS FOR PRODUCING A DISH CAPACITOR
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN CONDENSATEUR EN CUVETTE
Abrégé
(DE) Die Erfindung sieht vor, bei einem Schüsselkondensator, welcher insbesondere bei Stacked-Capacitor-Above-Bitline-Speicherzellen eingesetzt wird, ein Schleifverfahren (CMP) bei der Herstellung der unteren Kondensatorelektrode (44, 46) anzuwenden.
(EN) According to the invention, in a dish capacitor, especially for use in stacked capacitor above bit line storage cells, a chemical mechanical polishing (CMP) process is used in producing the lower capacitor electrode (44, 46).
(FR) L'invention concerne un condensateur en cuvette, utilisé notamment dans les cellules de mémoire à condensateur multicouches au-dessus de la ligne de binaire, pour lequel il est prévu d'utiliser un procédé de polissage mécanique chimique (CMP) lors de la fabrication de l'électrode inférieure du condensateur (44, 46).
Documents de brevet associés
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