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1. (WO1994000870) DEPOSITION EN PHASE GAZEUSE PAR PROCEDE CHIMIQUE A PARTIR DE PRECURSEURS ORGANOMETALLIQUES SIMPLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1994/000870    N° de la demande internationale :    PCT/US1993/005796
Date de publication : 06.01.1994 Date de dépôt international : 18.06.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.01.1994    
CIB :
C23C 16/30 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01)
Déposants : PRESIDENT AND FELLOWS OF HARVARD COLLEGE [US/US]; 17 Quincy Street, Cambridge, MA 02138 (US).
NATIONAL AERONAUTICS AND SPACE ADMINISTRATION [US/US]; Washington, DC 20546 (US)
Inventeurs : BARRON, Andrew, R.; (US).
POWER, Michael, B.; (US).
MacINNES, Andrew, N.; (US).
HEPP, Aloysius, F.; (US).
JENKINS, Phillip, P.; (US)
Mandataire : REYNOLDS, Leo, R.; Hamilton, Brook, Smith & Reynolds, Two Militia Drive, Lexington, MA 02173 (US)
Données relatives à la priorité :
07/903,256 23.06.1992 US
Titre (EN) CHEMICAL VAPOR DEPOSITION FROM SINGLE ORGANOMETALLIC PRECURSORS
(FR) DEPOSITION EN PHASE GAZEUSE PAR PROCEDE CHIMIQUE A PARTIR DE PRECURSEURS ORGANOMETALLIQUES SIMPLES
Abrégé : front page image
(EN)A method is disclosed for forming a passivating/buffer film on a substrate. The method includes heating the substrate to a temperature which is sufficient to cause a volatilized organometallic precursor to pyrolyze and thereby form a passivating/buffer film on a substrate (42). The organometallic precursor is volatilized at a precursor source (38). A carrier gas is directed from a carrier gas source (26) across the precursor source (38) to conduct the volatilized precursor from the precursor source (38) to the substrate (42). The volatilized precursor pyrolyzes and is deposited onto the substrate (42), thereby forming the passivating/buffer film on the substrate. The passivating/buffer film can be a cubic-phase passivating/buffer film. An oxide layer can also be formed on the passivating/buffer film to thereby form a composite of the substrate, the passivating/buffer film and the oxide layer. Cubic-phase passivating/buffer films formed by the method of the invention can be lattice-matched with the substrate. Electronic or electro-optical circuits or circuit elements can be formed which include passivating/buffer films formed by the method of the invention.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un film de passivation/tampon sur un substrat (42). Le procédé consiste à chauffer le substrat à une température suffisante pour provoquer la pyrolyse d'un précurseur organométallique vaporisé et former un film de passivation/tampon sur un substrat. Le précurseur organométallique est vaporisé au niveau d'une source de précurseur (38). Un gaz porteur est envoyé depuis une source de gaz porteur (26) à travers la source de précurseur (38) afin de déplacer le précurseur vaporisé depuis la source de précurseur (38) vers le substrat (42). Le précurseur vaporisé se décompose par pyrolyse et est déposé sur le substrat (42) formant ainsi le film de passivation/tampon sur le substrat. Le film de passivation/tampon peut être un film de passivation/tampon à phase cubique. Une couche d'oxyde peut également être formée sur le film de passivation/tampon afin de former un composite avec le substrat, le film de passivation/tampon et la couche d'oxyde. Les films de passivation/tampon à phase critique formés avec le procédé selon l'invention peuvent être adaptés en treillis au substrat. Des circuits électroniques ou électro-optiques ou des éléments de circuit comprenant des films de passivation/tampon formés par le procédé selon l'invention peuvent être également formés.
États désignés : AT, AU, BB, BG, BR, CA, CH, CZ, DE, DK, ES, FI, GB, HU, JP, KP, KR, LK, LU, MG, MN, MW, NL, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SK, UA, VN.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)