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1. (WO1993019529) SYNCHRONISATEURS ASYNCHRONES/SYNCHRONES, PLUS PARTICULIEREMENT SYNCHRONISATEURS CMOS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/019529 N° de la demande internationale : PCT/EP1993/000329
Date de publication : 30.09.1993 Date de dépôt international : 09.02.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 26.08.1993
CIB :
H03K 3/037 (2006.01) ,H03K 3/356 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
3
Circuits pour produire des impulsions électriques; Circuits monostables, bistables ou multistables
02
Générateurs caractérisés par le type de circuit ou par les moyens utilisés pour produire des impulsions
027
par l'utilisation de circuits logiques, avec réaction positive interne ou externe
037
Circuits bistables
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
3
Circuits pour produire des impulsions électriques; Circuits monostables, bistables ou multistables
02
Générateurs caractérisés par le type de circuit ou par les moyens utilisés pour produire des impulsions
353
par l'utilisation, comme éléments actifs, de transistors à effet de champ avec réaction positive interne ou externe
356
Circuits bistables
Déposants :
VLSI TECHNOLOGY INC. [US/FR]; HB1-Les Taissounières Route des Dolines Sophia Antipolis F-06560 Valbonne, FR
Inventeurs :
FRENKIL, Gerald, L.; US
Mandataire :
HORTON, Andrew, Robert, Grant; Bowles Horton Felden House Dower Mews High Street Berkhamsted, Hertfordshire HP4 2BL, GB
Données relatives à la priorité :
07/854,10019.03.1992US
Titre (EN) ASYNCHRONOUS-TO-SYNCHRONOUS SYNCHRONIZERS, PARTICULARLY CMOS SYNCHRONIZERS
(FR) SYNCHRONISATEURS ASYNCHRONES/SYNCHRONES, PLUS PARTICULIEREMENT SYNCHRONISATEURS CMOS
Abrégé :
(EN) The disclosure concerns asynchronous to synchronous synchronizers and particularly a technique which involves level shifting of a metastable voltage within a synchronizer stage. In a particular implementation of the invention, this level shifting is achieved by altering the relative proportions of at least one complementary pair of devices in a synchronizer in order to shift the level of a metastable voltage outside the range of a fatal voltage window possessed or exhibited by an adjacent or following part or stage of the synchronizer. By this means, although the occurrence of a metastable condition cannot be avoided, the likelihood of propagation of the metastable condition throughout the synchronizer may be very significantly reduced without the introduction of propagation delay. Alternatively an additional device such as a transistor (17e) may be inserted into a stack of devices connected to a node (24) at which the metastable voltage occurs.
(FR) Cette invention concerne des synchronisateurs asynchrones/synchrones et plus particulièrement une technique comprenant le décalage de niveau d'une tension métastable dans un étage de synchronisateur. Dans une forme d'exécution particulière de cette invention, ledit décalage de niveau s'effectue en modifiant les proportions relatives d'au moins une paire complémentaire de dispositifs prévus dans un synchronisateur afin de faire sortir le niveau de la tension métastable de la plage d'une fenêtre de tension critique que possède ou présente une partie ou un étage adjacent ou suivant du synchronisateur. De cette manière on peut réduire très significativement et sans introduire de temps de propagation, la probabilité que l'état métastable se propage dans le synchronisateur sans toutefois pouvoir éviter qu'un état métastable se produise. Dans une autre forme d'exécution on peut introduire un dispositif supplémentaire tel qu'un transistor (17e) dans une pile de dispositifs connectée à un noeud (24) au niveau duquel se produit la tension métastable.
États désignés : JP, KR
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)