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1. (WO1993019492) CELLULE SOLAIRE AVEC METALLISATION COMBINEE ET PROCEDE DE FABRICATION DE LADITE CELLULE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/019492 N° de la demande internationale : PCT/DE1993/000223
Date de publication : 30.09.1993 Date de dépôt international : 10.03.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 12.10.1993
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0224
Electrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
SIEMENS SOLAR GMBH [DE/DE]; Frankfurter Ring 152 D-8000 München 40, DE (AllExceptUS)
HOLDERMANN, Konstantin [DE/DE]; DE (UsOnly)
MÜNZER, Adolf [DE/DE]; DE (UsOnly)
SCHMIDT, Hans-Josef [AT/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs :
HOLDERMANN, Konstantin; DE
MÜNZER, Adolf; DE
SCHMIDT, Hans-Josef; DE
Mandataire :
FUCHS, Franz-Josef; Postfach 22 13 17 D-80503 München, DE
Données relatives à la priorité :
P 42 09 170.520.03.1992DE
Titre (DE) SOLARZELLE MIT KOMBINIERTER METALLISIERUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
(EN) SOLAR CELL WITH COMBINED METALLIZATION AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE AVEC METALLISATION COMBINEE ET PROCEDE DE FABRICATION DE LADITE CELLULE
Abrégé :
(DE) Zur Herstellung hocheffizienter Solarzellen aus poly- oder monokristallinem Halbleitermaterial wird vorgeschlagen, die Rückseitenkontakte mit einer metallhaltigen Paste aufzudrucken und die Vorderseitenkontakte fein strukturiert chemisch abzuscheiden. Bei Verwendung einer ionogenen Bekeimungslösung gelingt es, eine spezifische Metallisierung ausschließlich in Öffnungen oder Gräben auf der Vorderseite zu erzeugen, in denen die Halbleiterschicht von der sie bedeckenden Passivierungsschicht befreit ist. Durch chemische Abscheidung zumindest eines weiteren Metalls über der zunächst erzeugten Keimschicht wird der Vorderseitenkontakt chemisch oder galvanisch verstärkt.
(EN) In order to produce highly efficient solar cells made of polycrystalline or monocrystalline semiconductive material, the back side contacts are imprinted with a metal-containing paste and the front side contacts are finely structured by chemical deposition. By using an ionogenic germination solution, it is possible to generate a specific metallization exclusively in openings or pits on the front side in which the passivation layer that covers the semiconductive layer has been removed. By chemical deposition of at least another metal over the germination layer that was first generated, the front side contact is chemically or galvanically reinforced.
(FR) Afin de fabriquer des cellules solaires à grand débit à partir d'un matériau semiconducteur poly- ou monocristallin, il est suggéré d'empreindre les contacts face envers d'une pâte contenant du métal et de structurer finement les contacts face endroit par dépôt chimique. En utilisant une solution de germination ionogène, on peut obtenir une métallisation spécifique exclusivement dans les orifices ou les creux de la face endroit, dans lesquels la couche du semiconducteur est libérée de la couche de passivation la recouvrant. Par dépôt chimique d'au moins un autre métal par-dessus la couche de germination produite initialement, le contact de la face endroit est renforcé par processus chimique ou galvanique.
États désignés : JP, US
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Allemand (DE)
Langue de dépôt : Allemand (DE)
Également publié sous:
ES2270414EP0630525US5591565JPH07504785