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1. (WO1993019483) PROCEDE DE FABRICATION D'UN CIRCUIT A MATRICES ACTIVES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/019483 N° de la demande internationale : PCT/US1993/002654
Date de publication : 30.09.1993 Date de dépôt international : 12.03.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 22.10.1993
CIB :
B41F 3/34 (2006.01) ,B41F 17/26 (2006.01) ,B41M 3/00 (2006.01) ,G02F 1/1362 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/3213 (2006.01) ,H05K 3/00 (2006.01) ,H05K 3/06 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
41
IMPRIMERIE; LIGNARDS; MACHINES À ÉCRIRE; TIMBRES
F
MACHINES OU PRESSES À IMPRIMER
3
Presses à cylindre, c. à d. presses comportant nécessairement au moins un cylindre coopérant avec au moins un marbre plan
18
de structure spéciale ou pour emploi particulier
30
pour la lithographie
34
pour l'impression offset
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
41
IMPRIMERIE; LIGNARDS; MACHINES À ÉCRIRE; TIMBRES
F
MACHINES OU PRESSES À IMPRIMER
17
Appareils ou machines à imprimer de type particulier ou pour emploi particulier, non prévus ailleurs
24
pour l'impression de surfaces planes, d'objets polyédriques
26
par contact de roulement
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
41
IMPRIMERIE; LIGNARDS; MACHINES À ÉCRIRE; TIMBRES
M
PROCÉDÉS D'IMPRESSION, DE REPRODUCTION, DE MARQUAGE OU DE COPIE; IMPRESSION EN COULEUR
3
Procédés d'impression pour des travaux imprimés d'un genre particulier, p.ex. motifs
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321
Post-traitement
3213
Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3
Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3
Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
02
dans lesquels le matériau conducteur est appliqué à la surface du support isolant et est ensuite enlevé de zones déterminées de la surface, non destinées à servir de conducteurs de courant ou d'éléments de blindage
06
Elimination du matériau conducteur par voie chimique ou électrolytique, p.ex. par le procédé de photo-décapage
Déposants :
BRODY, Thomas, P. [US/US]; US
Inventeurs :
BRODY, Thomas, P.; US
Mandataire :
SHAMOS, Michael, I. ; Webb, Burden, Ziesenheim & Webb 700 Koppers Building 436 Seventh Avenue Pittsburgh, PA 15219-1818, US
Données relatives à la priorité :
07/855,52323.03.1992US
Titre (EN) PROCESS FOR FABRICATING AN ACTIVE MATRIX CIRCUIT
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN CIRCUIT A MATRICES ACTIVES
Abrégé :
(EN) An improved method of fabricating integrated circuits, particularly active matrix arrays. The present method comprises applying an etch-resist pattern to an integrated circuit by printing to form resist patterns. The circuit is then etched, recoated with a different substance, a new ink pattern applied and the pattern repeated to form the successive layers of the integrated circuit. The figure illustrates a conventional offset letter-press machine (10) of the type utilized in the present method.
(FR) Procédé amélioré de fabrication de circuits intégrés, en particulier de matrices actives, qui consiste à appliquer une configuration de réserve résistante à l'attaque chimique sur un circuit intégré par impression afin de former des configurations de réserve. Le circuit est ensuite attaqué et recouvert à l'aide d'une substance différente, une nouvelle configuration est répétée afin de former les couches successives du circuit intégré. La figure présente une machine traditionnelle (10) de typographie offset du type utilisé dans le présent procédé.
États désignés : CA, JP, KR
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)