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1. (WO1993019482) REGLAGE D'UNE VALEUR SEUIL CONCERNANT DES DISPOSITIFS A DMOS VERTICAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/019482 N° de la demande internationale : PCT/US1993/002256
Date de publication : 30.09.1993 Date de dépôt international : 19.03.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 19.10.1993
CIB :
H01L 21/265 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/10 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
265
produisant une implantation d'ions
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
10
avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Déposants :
SILICONIX INCORPORATED [US/US]; 2201 Laurelwood Road Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs :
WILLIAMS, Richard, K.; US
Mandataire :
MEETIN, Ronald, J. ; Skjerven, Morrill, MacPherson, Franklin & Friel Suite 700 25 Metro Drive San Jose, CA 95110, US
Données relatives à la priorité :
854,16220.03.1992US
Titre (EN) THRESHOLD ADJUSTMENT IN VERTICAL DMOS DEVICES
(FR) REGLAGE D'UNE VALEUR SEUIL CONCERNANT DES DISPOSITIFS A DMOS VERTICAUX
Abrégé :
(EN) A process for fabricating a p-channel VDMOS transistor (1) includes a high temperature, long diffusion subsequent to deposition of the polysilicon gate (60) for forming body regions (82). The threshold voltage of the VDMOS devices is adjusted subsequent to both gate formation and the high temperature, long duration body diffusion by implanting a suitable p-type dopant (94) into the VDMOS channel (88) through the insulated gate (50) after formation thereof. Since the gate is formed prior to threshold adjust, high temperature processing and long duration diffusions requiring the presence of the gate may be completed prior to threshold adjust, without risk to the adjusted device threshold.
(FR) Un procédé, qui permet de fabriquer un transistor VDMOS (MOSFET vertical à double diffusion) à canal p (1), implique une diffusion prolongée, à haute température, intervenant après le dépôt d'une grille en polysilicium (60) destinée à former les zones du substrat (82). On règle la tension seuil des dispositifs à VDMOS, après la formation de la grille et la diffusion prolongée du substrat à haute température, en implantant un dopant approprié de type p (94) dans le canal du VDMOS (88) au travers de la grille isolée (50) après formation de celle-ci. La grille étant formée avant le réglage de la tension seuil, le traitement à haute température et les diffusions prolongées nécessitant la présence de ladite grille peuvent aussi intervenir avant ce réglage et donc sans risque pour la valeur seuil réglée pour le dispositif.
États désignés : JP, KR
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0631689JPH07508371KR1019957001137