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1. (WO1993019228) ARSENIATES DE TITANYLE CRISTALLINS DOPES ET PREPARATION DE CES COMPOSES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/019228 N° de la demande internationale : PCT/US1993/002806
Date de publication : 30.09.1993 Date de dépôt international : 25.03.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 27.09.1993
CIB :
C30B 9/00 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
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CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
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Croissance des monocristaux à partir de bains fondus utilisant des solvants fondus
Déposants :
E.I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY [US/US]; 1007 Market Street Wilmington, DE 19898, US
Inventeurs :
BALLMAN, Albert, Anthony; US
CHENG, Lap, Kin; US
Mandataire :
HEISER, David, E. ; E.I. du Pont de Nemours and Company Legal/Patent Records Center 1007 Market Street Wilmington, DE 19898, US
Données relatives à la priorité :
07/857,05025.03.1992US
07/954,17430.09.1992US
Titre (EN) DOPED CRYSTALLINE TITANYL ARSENATES AND PREPARATION THEREOF
(FR) ARSENIATES DE TITANYLE CRISTALLINS DOPES ET PREPARATION DE CES COMPOSES
Abrégé :
(EN) Doped crystalline compositions (e.g., single domain crystals) of MTiOAsO4 (wherein M is K, Rb and/or Cs) are disclosed which contain at least about 10 ppm total of Fe, Sc and/or In dopant. Also disclosed is a flux process which is characterized by adding said dopant to a melt containing the components for forming MTiOAsO4, in an amount effective to provide a doped single domain crystal of MTiOAsO4 containing at least 10 ppm of said dopant.
(FR) L'invention se rapporte à des compositions cristallines dopées (telles que des cristaux monodomaine) de MTiOAsO4 (où M représente K, Rb et/ou Cs), qui contiennent un total d'au moins environ 10 ppm d'un dopant au Fe, Sc et/ou In. L'invention décrit égaleement un procédé de croissance par fondant, qui consiste à ajouter le dopant à un bain de fusion contenant les constituants pour former MTiOAsO4 en quantité efficace pour produire un cristal monodomaine dopé de MTiOAsO4 contenant au moins 10 ppm dudit dopant.
États désignés : JP
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0632852JPH07506079