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1. (WO1993018551) STRUCTURES DE PUITS QUANTIQUE UTILES DANS LES DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/018551 N° de la demande internationale : PCT/US1993/001939
Date de publication : 16.09.1993 Date de dépôt international : 02.03.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 28.09.1993
CIB :
H01L 29/15 (2006.01) ,H01L 29/51 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
15
Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
43
caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
49
Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
51
Matériaux isolants associés à ces électrodes
Déposants :
TWK TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 288 Litchfield Lane Houston, TX 77024, US
Inventeurs :
TSU, Raphael; US
Mandataire :
HANDELMAN, Joseph, H. ; Ladas & Parry 26 West 61 Street New York, NY 10023, US
Données relatives à la priorité :
844,72502.03.1992US
Titre (EN) QUANTUM WELL STRUCTURES USEFUL FOR SEMICONDUCTING DEVICES
(FR) STRUCTURES DE PUITS QUANTIQUE UTILES DANS LES DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS
Abrégé :
(EN) A quantum well structure useful for semiconducting devices comprises two barrier regions (SiO2) and a thin epitaxially grown monocrystalline semiconductor material quantum well (Si) sandwiched between said barrier regions (SiO2). Each barrier region consists essentially of alternate strain layers forming a superlattice, each of said layers being thinner than said quantum well. The layers are so thin that no defects are generated as a result of the release of stored strain energy.
(FR) Une structure de puits quantique utilisée dans les dispositifs à semiconducteurs se compose de deux zones de barrière (SiO2) et d'un puits quantique (SI) d'un matériau semiconducteur monocristallin, mince, à croissance épitaxiale coincé entre lesdites zones de barrière (SiO2). Chaque zone de barrière comporte essentiellement des couches alternées sous contrainte formant un superréseau, chacune de ces couches étant plus mince que ledit puits quantique. Les couches sont si minces qu'il ne se produit aucune défaillance provoquée par la libération de l'énergie de contrainte accumulée.
États désignés : CA, JP, KR
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)