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1. (WO1993018550) CONFIGURATION DE CIRCUIT PERMETTANT UNE POLARISATION DE PROTECTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/018550 N° de la demande internationale : PCT/US1993/002135
Date de publication : 16.09.1993 Date de dépôt international : 10.03.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 08.10.1993
CIB :
H01L 27/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
Déposants :
ANALOG DEVICES, INC. [US/US]; One Technology Way P.O. Box 9106 Norwood, MA 02062-9106, US
Inventeurs :
BROKAW, A., Paul; US
Mandataire :
GORDON, Peter, J.; Wolf, Greenfield & Sacks Federal Reserve Plaza 600 Atlantic Avenue Boston, MA 02210, US
Données relatives à la priorité :
07/848,75410.03.1992US
Titre (EN) A CIRCUIT CONSTRUCTION FOR PROTECTIVE BIASING
(FR) CONFIGURATION DE CIRCUIT PERMETTANT UNE POLARISATION DE PROTECTION
Abrégé :
(EN) A circuit construction for biasing near a pocket containing a power supply potential circuit element in a junction-isolated circuit. In normal operation if the polarity of the supply voltage is reversed from that intended the pocket is disconnected. To achieve this, in one embodiment the emitter of a transistor is connected to the positive supply voltage. The collector of that transistor is used to bias the pocket, containing a circuit element, which in normal operation should receive the supply voltage. When the supply voltage is reversed, the emitter-base junction is reverse biased and the collector-base junction is turned off. The pocket is thus disconnected from the supply during supply reversal. The transistor may also have a second collector to handle reinjection of carriers when it is saturated. This second collector can be connected to the base or used by other circuits to detect when saturation occurs.
(FR) Une configuration de cicruit permet une polarisation près d'une 'poche' contenant un élément de circuit ayant un potentiel d'alimentation électrique et placé dans un circuit à jonction isolée. En fonctionnement normal, si on inverse la polarité de la tension d'alimentation prévue, la poche se trouve déconnectée. A cette fin, dans une variante, on connecte l'émetteur d'un transistor à la tension d'alimentation positive. On utilise le collecteur de ce transistor pour polariser la poche qui contient un élément de circuit et qui devrait recevoir la tension d'alimentation en fonctionnement normal. Lorsqu'on inverse cette tension, la jonction émetteur-base subit une polarisation inverse et la jonction collecteur-base est désactivée. La poche est ainsi déconnectée de l'alimentation pendant que celle-ci est inversée. Le transistor peut aussi comporter un deuxième collecteur chargé de réinjecter les porteurs lorsqu'il est saturé. Ce deuxième collecteur peut être connecté à la base ou utilisé par d'autres circuits, ce qui permet de détecter une saturation.
États désignés : JP
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0631693JPH08504297