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1. (WO1993018545) PROCEDE D'ATTAQUE DE DIOXYDE DE SILICIUM AU LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/018545 N° de la demande internationale : PCT/US1992/003670
Date de publication : 16.09.1993 Date de dépôt international : 27.04.1992
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/311 (2006.01) ,H01L 21/3213 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105
Post-traitement
311
Gravure des couches isolantes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321
Post-traitement
3213
Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
Déposants :
LASA INDUSTRIES INC. [US/US]; 505 Lincoln Avenue San Jose, CA 95126, US
Inventeurs :
ELSEA, Arthur, R., Jr.; US
DOOLEY, Daniel, J.; US
Données relatives à la priorité :
849,23710.03.1992US
Titre (EN) METHOD OF LASER ETCHING OF SILICON DIOXIDE
(FR) PROCEDE D'ATTAQUE DE DIOXYDE DE SILICIUM AU LASER
Abrégé :
(EN) A method of using a laser (16) to etch patterns in a thin layer of amorphous silicon (14) which is used as a mask for the etching of a layer of silicon dioxide (12) in integrated circuit fabrication. The laser is used to etch the amorphous silicon in the presence of halogen ions. Subsequently, the amorphous silicon is used as a mask to plasma etch the silicon dioxide. Alternate embodiments of the method etch a metal region on a substrate, or a silicon dioxide layer on a metal region, both using an etched amorphous silicon mask. An alternate embodiment uses a double masking technique to etch an amorphous silicon mask, which is used to etch a silicon dioxide hard mask, which is used to etch a metal region.
(FR) Procédé d'utilisation d'un laser (16) pour graver des motifs dans une mince couche de silicium amorphe (14) qui est utilisé comme masque pour la gravure d'une couche de dioxyde de silicium (12) dans la fabrication de circuits intégrés. Le laser est utilisé pour graver le silicium amorphe en présence d'ions halogène. Ensuite, le silicium amorphe est utilisé comme masque pour graver au plasma le dioxyde de silicium. Des variantes de ce procédé consistent à graver une région métallique sur un substrat, ou une couche de dioxyde de silicium sur une région métallique, en utilisant dans les deux cas un masque de silicium amorphe gravé. Dans une autre variante on emploie une technique de double masquage pour graver un masque de silicium amorphe dont on se sert pour graver un masque dur de dioxyde silicium que l'on utilise pour graver une région métallique.
États désignés : CA, JP, KR
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, MC, NL, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)