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1. (WO1993018531) COUCHES FERROELECTRIQUES ALIGNEES DE MANIERE CRISTALLOGRAPHIQUE, POUVANT ETRE UTILISEES DANS DES MEMOIRES, ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1993/018531 N° de la demande internationale : PCT/US1993/001582
Date de publication : 16.09.1993 Date de dépôt international : 23.02.1993
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 30.08.1993
CIB :
C04B 35/491 (2006.01) ,H01G 7/06 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/314 (2006.01) ,H01L 27/115 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
04
CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
B
CHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
35
Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
01
à base d'oxydes
48
à base d'oxydes de zirconium ou d'hafnium ou de zirconates ou d'hafnates
49
contenant également de l'oxyde de titane ou des titanates
491
à base de zirconates de plomb et de titanates de plomb
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
7
Condensateurs dont la capacité varie par des moyens non mécaniques; Procédés pour leur fabrication
06
à diélectrique choisi pour sa variation de permittivité en fonction de la tension appliquée, c. à d. condensateurs ferro-électriques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314
Couches inorganiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
112
Structures de mémoires mortes
115
Mémoires mortes programmables électriquement
Déposants :
BELL COMMUNICATIONS RESEARCH, INC. [US/US]; 290 West Mount Pleasant Avenue Livingston, NJ 07039-2729, US
Inventeurs :
INAM, Arun; US
RAMESH, Ramamoorthy; US
Mandataire :
WINTER, Richard, C.; PCT International, Inc. Post Office Box 573 New Vernon, NJ 07976 , US
SUCHYTA, Leonard, Charles; Bell Communications Research, Inc. 290 West Mount Pleasant Avenue Livingston, NJ 07039-2729, US
Données relatives à la priorité :
846,35805.03.1992US
Titre (EN) CRYSTALLOGRAPHICALLY ALIGNED FERROELECTRIC FILMS USABLE IN MEMORIES AND METHOD OF MAKING
(FR) COUCHES FERROELECTRIQUES ALIGNEES DE MANIERE CRISTALLOGRAPHIQUE, POUVANT ETRE UTILISEES DANS DES MEMOIRES, ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A ferroelectric memory and its method of making in which a highly c-axis oriented layer (56) of ferroelectric lead zirconate titanate (PZT) is epitaxially deposited at between 640° and 710 °C upon a crystalline film (54) of yttrium barium copper oxide (YBCO), acting both as growth template and bottom electrode. A top electrode (58) is formed over the ferroelectric layer to complete the memory element. The two electrodes are preferably composed of the same perovskite conductor of the same crystalline orientation, most preferably, a-axis oriented YBCO. The structure can be grown on a silicon substrate (50) with an intermediate buffer layer (52) of yttria-stabilized zirconia. The ferroelectric behavior is optimized if the structure is cooled from its growth temperature at about 20 °C/min. Such a-axis oriented perovskite thin films can be grown by continuously depositing the same or different perovskite material, but dividing the deposition into three temperature stages, a first at a temperature favoring a-axis oriented growth, a second gradually increasing the temperature to a temperature favoring c-axis growth, and a third at the c-axis growth temperature. Nonetheless, a high-quality a-axis oriented film is grown. The memory can be rejuvenated after it has become fatigued by applying a pulse of magnitude equal to that of the writing pulse but of considerably longer duration.
(FR) Mémoire ferroélectrique et procédé pour sa fabrication, selon lequel une couche (56) de titanate de zirconate de plomb ferroélectrique (PZT) à forte orientation par rapport à l'axe c est déposée de manière épitaxiale à une température comprise entre 640° et 710 °C sur un film cristallin (54) d'oxyde d'yttrium-barium-cuivre (YBCO) agissant à la fois comme gabarit de croissance et comme électrode inférieure. Une électrode supérieure (58) est formée sur la couche ferroélectrique pour compléter l'élément mémoire. Les deux électrodes sont de préférence composées du même conducteur de perovskite présentant la même orientation cristalline, idéalement de l'YBCO orienté par rapport à l'axe a. L'on peut faire croître la structure sur un substrat de silicium (50) avec une couche tampon intermédiaire (52) de zircone stabilisée par yttria. Le comportement ferroélectrique est optimalisé si la structure est refroidie à partir de sa température de croissance à une vitesse de 20°/m environ. L'on peut faire croître de telles couches minces de perovskite orientées par rapport à l'axe a en déposant de façon continue le même matériau de pervoskite, ou un matériau de pervoskite différent, mais en divisant le procédé de dépôt en trois étapes à des températures différentes, une première étape à une température favorisant la croissance orientée par rapport à l'axe a, une seconde étape où la température est progressivement augmentée jusqu'à une température favorisant la croissance par rapport à l'axe c, et une troisième étape à la température favorisant la croissance par rapport à l'axe c. Néanmoins, l'on obtient la croissance d'une couche orientée par rapport à l'axe a de haute qualité. La mémoire peut être renouvelée lorsqu'elle présente des signes de fatigue par application d'une impulsion d'une intensité égale à celle de l'impulsion d'écriture mais d'une durée considérablement plus courte.
États désignés : CA, JP
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0632925JP2819067JPH07504784CA2131100